Удельное сопротивление - образец
Cтраница 4
При нагревании в атмосфере тетрафторида кремния фторфлогопит разлагается очень медленно. При выдержке пластин слюды ( 71480 К) в токе SiF4 в течение 1 ч видимых изменений в кристаллах слюды не обнаруживается даже при микроскопических исследованиях. По результатам сравнительного изучения температурных зависимостей удельного сопротивления образцов фтор-флогопита, предварительно подвергнутых нагреву в атмосфере водорода и фторида ( рис. 26), установлено, что термообработка слюды в токе SiF4 даже несколько улучшила ее диэлектрические свойства по сравнению с исходным образцом, а нагрев в водороде привел к полному разрушению фторфлогопита и, следовательно, к резкому ухудшению диэлектрических характеристик во всем исследованном диапазоне температур. [46]
В некоторых районах в толщах глин встречаются вкрапления кристаллического пирита до 2 - 3 % от объема породы. В связи с этим нами проведены экспериментальные исследования по оценке влияния содержания пирита в глинах на их удельное электрическое сопротивление. На основании проведенных экспериментов были построены зависимости удельного сопротивления образцов р0бр от их суммарного водосодержа-ния. Дальнейшее увеличение Спир5; 10; 20 % при рв1 7 Ом - м снижает удельное сопротивление образца. На наш взгляд, это объясняется как увеличением доли электронной проводимости в общей проводимости образца, так и растворением пирита в растворе, насыщающем образец. [47]
 |
Внешний вид столика для крепления образцов, масок и контрольного образца в собранном и разобранном виде. [48] |
Для обеспечения стабильности параметров и хорошей воспроизводимости требуемых результатов большое значение имеет контроль параметров пленок в процессе напыления. Разработаны различные методы контроля [56], основанные на измерении толщины пленок в процессе напыления, которые, однако, страдают общим недостатком - не учитывают отличие свойств тонких пленок от свойств аналогичного массивного материала. Установлено, что с изменением толщины металлической пленки изменяется ее плотность, а следовательно, и удельное сопротивление образца. [49]
 |
Рентгенограмма осадка электролитического железа, отожженного. [50] |
Были получены следующие результаты: для электролитического железа, полученного при 20, параметр а равен 2 8612 А; для электролитического железа, отожженного в вакууме при 650, этот параметр равен 2 8590 А. При этой температуре параметры решетки принимают наименьшее значение и далее от температуры отжига не зависят. Следовательно, по данным рентгенографического исследования, распад твердого раствора водорода в железе происходит непрерывно. Однако измерения удельного сопротивления образцов электролитического железа и его микротвердости указывают на прерывность распада твердого раствора. [51]
Проведенные физиками исследования показали, что действие галоидов и таллия в селене может быть объяснено изменением проводимости межкристаллических прослоек. В свете этой теории структура гексагонального селена представляется в виде кристаллов с хорошей проводимостью, контактирующих друг с другом через плохо проводящие слои, где в основном и размещаются атомы примеси. При этом галоиды понижают, а атомы таллия увеличивают сопротивление этих слоев. Это подтверждается измерением на высокой частоте удельного сопротивления образцов селена, содержащих таллий. [52]
 |
Модель об - качестве контактов используют металлические разца для измерения зонды или сплавные контакты малых разме - ЭДС Холла рОВ Применяют также боковые отростки, из. [53] |
Образцу и боковым отросткам придают гантелеобразную форму. При этом технология изготовления контактов упрощается, облегчаются операции металлизации и вплавления. Такие контакты не искажают линии тока в образце и за счет большой площади имеют малое сопротивление контакта и более низкий уровень шума. Наличие нескольких боковых отростков позволяет одновременно с ЭДС Холла измерять удельное сопротивление образца. При измерении параметров диффузионных и эпитаксиальных слоев можно использовать стандартную технологию с применением фотолитографии. [54]
В некоторых районах в толщах глин встречаются вкрапления кристаллического пирита до 2 - 3 % от объема породы. В связи с этим нами проведены экспериментальные исследования по оценке влияния содержания пирита в глинах на их удельное электрическое сопротивление. На основании проведенных экспериментов были построены зависимости удельного сопротивления образцов р0бр от их суммарного водосодержа-ния. Дальнейшее увеличение Спир5; 10; 20 % при рв1 7 Ом - м снижает удельное сопротивление образца. На наш взгляд, это объясняется как увеличением доли электронной проводимости в общей проводимости образца, так и растворением пирита в растворе, насыщающем образец. [55]
Как показал Мосс, тонкие пленки йода, полученные испарением в вакууме, обладают фотопроводимостью с длинноволновой границей, соответствующей 1 3 эв. Установлено, что сопротивление слоев при повышении температуры уменьшается, и это уменьшение соответствует ширине запрещенной зоны в 1 24 эв. Однако измеренная величина удельного сопротивления очень велика, и при 20 С, согласно Моссу, равна 5 - 108 ом-см. Следовательно, подвижность носителей тока должна быть чрезвычайно малой, если, конечно, мы вправе рассматривать длинноволновую границу фотопроводимости и определенную термическим методом величину энергии активации в качестве истинных данных о ширине запрещенной зоны. Удельное сопротивление объемных образцов несколько меньше, порядка 108 ом-см, но это также соответствует очень малым подвижностям. Таким образом, хотя йод и обнаруживает некоторые свойства полупроводника, его едва ли можно отнести к числу типичных. [56]
В щелочных металлах рассеяние электронов может быть обусловлено примесными атомами и такими нарушениями периодичности кристаллической решетки, как внешняя поверхность образца или границы зерен. В относительно чистых материалах, однако, наиболее важным механизмом рассеяния является рассеяние на тепловых колебаниях решетки. Интенсивность этого рассеяния зависит от амплитуды колебаний решетки. Поэтому деформация сжатия, уменьшая амплитуду колебаний, уменьшает удельное сопротивление. Этот же эффект приводит к увеличению удельного сопротивления образца при растяжении и поэтому увеличивает коэффициент тензочувствительности у, по сравнению со значениями 1 5 - 1 9, обусловленными только изменением геометрических размеров. [57]
Образовавшиеся ядра со свободными связями частично реком-бинируют друг с другом ( см. также стр. Сигнал ЭПР возникает от непрореагировавшей части свободных радикалов. Вторая стадия - пиролиз - характеризуется почти полным отсутствием потерь веса, увеличением плотности и резким снижением удельного сопротивления образца. На этой стадии происходит полная реорганизация внутренней структуры вещества, связанная с пространственной поликонденсацией ароматических ядер. Это приводит к резкому увеличению ненасыщенности и возникновению электропроводности. Снижение парамагнитного поглощения, происходящее на этой стадии, связывается с рекомбинацией свободных радикалов. [58]
Объемное удельное сопротивление образцов, облучавшихся при мощности дозы от 2 6 - 10 до 1 6 - 10 эрг / ( г-ч), в процессе облучения быстро уменьшилось. Примерно после 20 ч облучения удельное сопротивление достигло постоянной величины, которая была в 103 раз меньше исходной величины. Результаты показывают, что удельное сопротивление изменяется обратно пропорционально мощности дозы и толщине образца. Удельное сопротивление образцов после облучения зависит от величины дозы, полученной образцом. [59]
 |
Осциллограмма тока коллектора при коротком инжектирующем импульсе эмиттерного тока.| Схена установки для измерения дрейфовой поцвижно-сти неосновных носителей заряда. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5