Удельное сопротивление - слой
Cтраница 1
Удельное сопротивление слоя W толщиной 120 нм составляет 1 Ом - см. При правильном проведении указанного процесса слой W образуется только на поверхности кремния или поликристаллического кремния, а поверх слоя окиси кремния наращивание W совершенно отсутствует. [1]
Удельное сопротивление слоя пыли, осажденной в электрофильтре, определяется не только собственным удельным сопротивлением материала при данной температуре, но также и размером частиц, плотностью слоя пыли и поверхностной проводимостью частиц, изменяющейся вследствие адсорбции газов и паров. [2]
Поэтому увеличение удельного сопротивления слоя сезонных изменений при расчете заземлителей грозозащиты следует учитывать только в случае, когда измерения методом ВЭЗ проводились не в период пониженной влажности. [3]
Здесь г - удельное сопротивление слоя осадка, зависящее от количества добавляемого в суспензию вспомогательного вещества а. [4]
Аналогично можно определить минимальное удельное сопротивление слоя сезонных изменений, возможное при благоприятных условиях при большой влажности. [5]
Сложный характер носит зависимость удельного сопротивления слоя от температуры при сохранении в слое постоянной линейной скорости газа. С), а для неподвижного слоя падение было заметно лишь в диапазоне 200 - 700 С. [6]
 |
Диффузионные резисторы полупроводниковых ИС.| Топологические схемы диффузионных резисторов. [7] |
Диапазон номинальных значений резисторов определяется удельным сопротивлением слоя, максимальной площадью кремниевой пластины, которая может быть выделена для резистора в составе ИС и разрешающей способностью технологического метода. Удельное сопротивление слоя базовой диффузии лежит в интервале 100 - 300 Ом / квадрат, а слоя эмиттерной диффузии 2 - 10 Ом / квадрат. Слой материала базы между эмиттерным и коллекторным переходами имеет удельное сопротивление 20 - 40 кОм / квадрат. Разрешающая способность современных технологических методов позволяет воспроизводить геометрию резистора с точностью до ( 0 5 - 1) мкм. При ширине резистора 620 мкм с учетом потерь площади на создание изолированного островка и контактные площадки могут быть изготовлены резисторы с номинальными значениями 100 - 30 кОм при базовой диффузии и 1 - 300 Ом при эмиттерной диффузии. [8]
Для больших меза-планарных структур при удельном сопротивлении высокоомного коллекторного слоя 3 - 5 ом см, при точном соблюдении минимально допустимых размеров толщины этого слоя и на не очень больших токах ( до 10 - 20 а) могут быть достигнуты значения гнас-0 03 - т - 0 05 ом. Однако трудности, связанные с обеспечением заданной толщины высокоомного слоя, некоторый вклад в гнас, вносимый низкоомным коллекторным слоем, и другие затруднения, связанные с осуществлением операции встречной диффузии и последующей сошлифовки значительной части пластины кремния, заставили искать какие-то другие пути получения исходных кремниевых пластин для создания транзисторов в виде двухслойных структур с тонким высокоомным и толстым низкоомным слоем. Для маломощных транзисторов в настоящее время эпитаксиальное выращивание практически полностью заменило встречную диффузию. В случае мощных транзисторов использование эпитаксиального выращивания связано с определенными затруднениями, которые будут рассмотрены в следующем параграфе. [9]
На рис. 4 приведены результаты измерений удельного сопротивления эпитакси-ального слоя на пластинах, расположенных по направлению газового потока: КДБ-10; / г-спутник; КДБ-10. Анализ полученных результатов показал следующее. Наличие д - спутника в эпитаксиальном процессе приводит к увеличению уровня легирования эпитакси-альных слоев на пластинах, расположенных последовательно по газовому потоку. Удельное сопротивление эпи-таксиального слоя возрастает с увеличением расстояния между п - спутником и контрольной точкой. Уровень дополнительного легирования может существенно зависеть от исходного номинала поверхностного сопротивления скрытого слоя. Подлегирование эпитакси-ального слоя на впереди стоящей пластине практически отсутствует. [11]
Данная методика больше подходит для нахождения удельного сопротивления более низ-коомного слоя структуры. [12]
Выражение, полученное по (8.9), равно удельному сопротивлению слоя грунта от поверхности до глубины, равной а. По данным измерения строится график зависимости р от а, по которому можно судить об удельных сопротивлениях на разной глубине. [13]
Влияние скорости осаждения и температуры пластин на удельное сопротивление слоя заметно проявляется в кинетической области, так как в этой области коэффициент сегрегации сильно зависит от условий осаждения. С повышением температуры пластин отражение возрастает, коэффициент сегрегации падает и р возрастает. При повышении скорости осаждения отражение уменьшается, / ( возрастает, а р падает. [14]
На рис. 1 - 14 показана зависимость удельного сопротивления слоя от толщины пленки. [15]
Страницы: 1 2 3 4