Удельное сопротивление - слой
Cтраница 4
Раньше разработчику проиходилось идти на компромисс при выборе удельного сопротивления исходного материала, так как, с одной стороны, большему р соответствовали большее пробивное напряжение и меньшая емкость, а с другой, - значительные потери мощности. Теперь, применяя эпитаксиальное выращивание, можно существенно увеличивать удельное сопротивление эпитак-сиального слоя и тем самым иметь запас по напряжению и емкости, не боясь слишком резкого увеличения паразитных потерь. В настоящее время большинство пленарных транзисторов изготавливается с применением метода эпитаксиального выращивания. [46]
При положительном значении F происходит адгезия частиц, при отрицательном - отскок. Знак и величина Рлэ при прочих равных условиях определяются удельным сопротивлением слоя пыли. В связи с этим все частицы по удельному сопротивлению можно условно разделить на три группы. [47]
Тонкопленочные пассивные элементы и межсоединения изготавливаются методами катодного или ионно-плазменно-го распыления соответствующего материала масочным или фотолитографическим способом. Основные требования к материалам, используемым для тонкопленочных резисторов: широкий диапазон необходимых удельных сопротивлений слоя ( 10 - 104 Ом / П) и низкий температурный коэффициент сопротивления TK. [48]
При наибольшей объемной скорости воздуха, равной 6 м / ч эта величина достигает 0 675 кг. Характер кривой свидетельствует также о том, что при дальнейшем повышении скорости воздуха удельное сопротивление слоя будет возрастать. [50]
& 2 не, что соответствует значению, наблюдаемому экспериментально. Выбор структуры и топологии транзистора для ЭП определяется в первую очередь выбором оптимальных значений удельного сопротивления коллекторного слоя и площади контакта Шоттки. [51]
Большое значение имеет характер осадка. Кристаллические частицы образуют так называемые несжимаемые осадки у которых размеры пор, через которые протекает жидкость, а, следовательно, и удельное сопротивление слоя осадка ( pj, не изменяются с увеличением давления. [52]
 |
Этапы изготовления сплавного диода. [53] |
Четкая граница, образующаяся между жидким раствором InGe и исходной пластинкой в период нагрева -, сохраняется после затвердевания. Поэтому сплавной метод обеспечивает получение ступенчатых р-п переходов. Удельное сопротивление рекристаллкзованного слоя оказывается очень малым ( примерно О. Ом см), и он играет роль эмиттера но отношению к гораздо более ЕЫСОХООМНОЙ исходной пластинке - базе. [54]
Четкая граница, образующаяся между жидким раствором InGe и исходной пластинкой в период нагрева сохраняется после затвердевания. Поэтому сплавной метод обеспечивает получение ступенчатых р-п переходов. Удельное сопротивление рекристалли-зованного слоя оказывается очень малым ( порядка 0 001 - 0 01 ом - см) и он играет роль эмиттера по отношению к гораздо более высокоомной исходной пластинке - базе. [55]
Величина SE представляет собой сопротивление чистой тканевой фильтрующей перегородки, в которой накопилась остаточная пыль, удаляемая с большим трудом. На рис. 3.2 приведена зависимость 5 от массы пыли, удерживаемой перегородкой. Коэффициент удельного сопротивления слоя пыли Кг ( S - SE) / W определяют экспериментально. [57]
Страницы: 1 2 3 4