Удельное сопротивление - слой
Cтраница 3
Из формул ( 50 - 56) видно что изменить величину сопротивления можно следующими способами: изменением удельного сопротивления тохопроводящего слоя, изменением геометрических размеров сечения токопроводящего слоя, изменением длины токопроводящего слоя. [31]
Аморфные частицы чаще всего образуют так называемые сжимаемые осадки, в которых с увеличением давления происходит сужение капиллярных каналов и удельное сопротивление слоя осадка резко возрастает. [32]
Эффективно применение глубинных анодных заземлении, заложенных в нижние слои грунта, удельное сопротивление которых не менее чем в 4 раза ниже удельного сопротивления слоя грунта, где размещены подземные сооружения. [33]
В процессе длительной анодной поляризации происходит доокисление Мп02, недостаток кислорода по сравнению со стехиометрическим уменьшается и концентрация носителей заряда снижается, что приводит к соответствующему росту удельного сопротивления слоя окисла и падению напряжения в нем. С повышением плотности тока и длительности поляризации увеличивается удельное электрическое сопротивление слоя окисла. [35]
Диапазон номинальных значений резисторов определяется удельным сопротивлением слоя, максимальной площадью кремниевой пластины, которая может быть выделена для резистора в составе ИС и разрешающей способностью технологического метода. Удельное сопротивление слоя базовой диффузии лежит в интервале 100 - 300 Ом / квадрат, а слоя эмиттерной диффузии 2 - 10 Ом / квадрат. Слой материала базы между эмиттерным и коллекторным переходами имеет удельное сопротивление 20 - 40 кОм / квадрат. Разрешающая способность современных технологических методов позволяет воспроизводить геометрию резистора с точностью до ( 0 5 - 1) мкм. При ширине резистора 620 мкм с учетом потерь площади на создание изолированного островка и контактные площадки могут быть изготовлены резисторы с номинальными значениями 100 - 30 кОм при базовой диффузии и 1 - 300 Ом при эмиттерной диффузии. [36]
Известны способы повышения эффективности работы электрофильтров путем увеличения сил аутогезии между частицами. Укрупнение частиц способствует росту удельного сопротивления слоя и его адгезии. [37]
При изготовлении тыльно-барьерных элементов на стеклянную пластину наносят методом вакуумного испарения пленки Мо и Аи ( толщиной 0 3 и 0 5 мкм соответственно), образующие контактную сетку, слой сульфида кадмия ( беспримесного или легированного индием) толщиной 10 мкм, слой Cu2 - xSe толщиной 5 мкм и пленку Аи толщиной 0 5 мкм, которая служит тыльным контактом. Полагают, что при уменьшении удельного сопротивления слоя CdS повысится напряжение холостого хода, а в результате оптимизации химического состава Cu2 xSe увеличится ток короткого замыкания. [38]
Эффективность процесса фильтрования и применяемых вспомогательных веществ оценивается по качеству получаемого фильтрата и скорости процесса, которые могут быть получены с помощью этих веществ. Для обеспечения высокой скорости процесса фильтрования удельное сопротивление слоя осадка, состоящего из вспомогательного вещества и примесей суспензии, должно быть значительно меньше, чем удельное сопротивление осадка суспензии. При этом должны быть обеспечены такие условия, при которых улавливание примесей суспензии проходило бы интенсивно. [39]
В уравнении ( 9) принято, что величина удельного сопротивления K зависит только от соотношения концентрации добавки и взвешенных веществ. Однако результаты исследований показывают, что удельное сопротивление слоя осадка при одинаковых добавках является функцией суммарной концентрации всей твердой фазы. Изменение удельного сопротивления наиболее заметно при низких концентрациях твердой фазы и особенно при небольших величинах добавки фильтрующего материала. С увеличением добавки характер этого изменения и величина удельного сопротивления становятся, как и следовало ожидать, близкими к характеру изменения удельного сопротивления слоя вспомогательного материала. [40]
Пыли второй г р у п п ы ( от 104 до 2 - 1010 ом-см удовлетворительно себя ведут при электрической очистке газов. Лучше всего работают электрофильтры, когда удельное сопротивление слоя осажденной пыли составляет около 108 - 109 ом-см. [41]
 |
Зависимость заряда, получаемого при коронном разряде, от диаметра металлических - частиц. [42] |
При отрицательном значении Ряэ происходит адгезия частиц, при положительном - отскок. Рдэ при прочих равных условиях определяются удельным сопротивлением слоя пыли. В связи с этим все частицы по удельному сопротивлению можно условно разделить на три группы. [43]
 |
Эффективность фотогенерации носителей заряда фр. в - PcHj, который представляет собой яаетицы в полйвиннлацетатной матрице. Приведены данные дла легирования различными металл-фталоцианинами. [44] |
Наиболее перспективным легирующим компонентом следует считать РсРЬ, поскольку он повышает эффективность фотогенерации носителей заряда. Это происходит из-за того, что РсРЬ понижает удельное сопротивление слоя молекулярного проводника. [45]
Страницы: 1 2 3 4