Входное сопротивление - транзистор
Cтраница 1
Входное сопротивление транзистора и в закрытом, и в открытом состояниях весьма велико, поскольку затвор отделен от истока, стока и подложки диэлектриком. [1]
Входное сопротивление транзистора - параметр, который зависит не только от температуры, но и от тока эмиттера, коллекторного напряжения и схемы включения. [2]
Входное сопротивление транзистора по первой гармонике считаем чисто вещественным и не зависящим от амплитуды высокочастотного напряжения и смещения. [3]
Входное сопротивление транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, обычно составляет несколько сотен ом. [4]
Входное сопротивление транзистора в схеме с ОБ гвх dU3s / dI3 ( при С / КБ const) очень мало и составляет единицы - десятки ом, так как небольшое изменение напряжения эмиттера значительно влияет на высоту потенциального барьера эмиттерного перехода, включенного в прямом направлении, и, следовательно, на ток эмиттера. [5]
 |
Частотные характеристики предусилителей-корректоров. а - первого. б - второго. в - третьего. [6] |
Входное сопротивление транзистора Т1 очень маленькое. Для его увеличения в цепь базы введен резистор R, сопротивление которого определяет входное сопротивление предусилителя. Такое схемное решение позволяет сохранить неизменным входное сопротивление в широком диапазоне частот, хотя и ухудшает отношение сигнал / шум. [7]
Входное сопротивление транзистора, помимо выходных характеристик транзистора, определяет крутизну характеристики прямой передачи и усиление по мощности. Для улучшения этих параметров входное сопротивление необходимо уменьшать. Кроме сопротивления г 2 во входное сопротивление входит еще ряд составляющих: сопротивление в невыпрямляющем контакте базы, сопротивление в контакте эмиттера ( которое практически всегда достаточно мало), сопротивление тела эмиттера ( которое обычно также мало), сопротивление базовой области на участке между эмиттерным и коллекторным переходами при протекании тока в направлении, параллельном переходам Гбь и сопротивление собственно эмиттерного перехода. [8]
Входное сопротивление транзистора зависит от схемы включения его. Для маломощных сплавных германиевых транзисторов типично значение Лцб22н - 30 ом, для маломощных сплавных кремниевых 35 - 100 ом, для маломощных диффузионно-сплавных германиевых 7 - 50 ом. [9]
Входное сопротивление транзистора 1 шунтирует сопротивление нагрузки транзистора Т2 ( Ri) и ввиду его малости значительно уменьшает коэффициент усиления Д 2, а следовательно, коэффициент стабилизации. [10]
Входное сопротивление транзистора в схеме с общим эмиттером значительно больше, чем в схеме с общей базой. [11]
Входные сопротивления транзисторов, шунтируя резонансные контуры, уменьшают их добротность, что снижает избирательность приемника. [12]
Входное сопротивление транзистора с изолированным затвором может иметь очень большую величину, определяемую сопротивлением изоляции. Входное сопротивление транзистора со сплавным или диффузионным затвором будет ограничено сопротивлением запертого перехода. [13]
Входные сопротивления транзисторов в большинстве случаев имеют малые значения ( 1000 - 3000 Ом), поэтому для разделительных конденсаторов усилителей на транзисторах требуются большие значения емкости. Например, для усилителей звуковых частот емкость составляет несколько микрофарад. [14]
Входное сопротивление транзистора, включенного по схеме с ОЭ, сравнительно мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОБ. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5