Входное сопротивление - транзистор
Cтраница 2
Входные сопротивления транзисторов, шунтируя резонансные контуры, уменьшают их добротность, что снижает избирательность приемника. [16]
 |
Важнейшие характеристики трех основных схем включения транзистора. [17] |
Входное сопротивление транзистора в схеме с ОК очень высоко и может достигать 1 Мом, тогда как выходное сопротивление составляет всего лишь несколько десятков ом. Отсюда следует, что эта схема не дает выигрыша по напряжению. [18]
Входное сопротивление Лвх транзистора гиперболически зависит от величины коллекторного тока / к: при малых токах оно весьма велико, а с увеличением тока падает вначале резко, а затем медленно. [19]
 |
Схема простейшего электронного ключа на биполярном транзисторе. [20] |
Входное сопротивление транзистора лвх 8 и напряжение отпирания U д От находят по базовой вольт-амперной характеристике транзистора. Коллекторная характеристика в активной области рассчитывается по известной формуле / ( 3 / 6 / кг ( 3 / v 1) с учетом зависимости р от тока. [21]
Чтобы входное сопротивление транзистора вносило в контур нужное затухание и снижало собственную добротность контура Q до необходимого значения Q9, контур связывают с транзистором частично: трансформаторно или автотрансформаторно. [22]
Поэтому входное сопротивление транзистора с ОБ увеличивается с ростом частоты из-за падения hz s на высоких частотах. [23]
Поскольку входное сопротивление транзистора мало, величина тэп оказывается очень маленькой. Поэтому если эмиттерный повторитель используется в схеме, где емкость С имеет такую же величину, что и емкость Q в обычных С-каскадах, то частотная характеристика эмиттерного повторителя в области высших частот будет иметь завал на очень высоких частотах. [24]
Определив входные сопротивления транзисторов, входящих в составной, можно из формул табл. 4.2 найти его входное сопротивление АПЭ. [25]
Найдем входное сопротивление транзистора, полагая, что на выходе осуществляется короткое замыкание по переменному току. [26]
 |
Эмиттерный повторитель как трансформатор сопротивления. [27] |
Поскольку входное сопротивление транзистора гвх мало, Твэп также оказывается малой, а верхняя граничная частота эмиттерного повторителя - очень большой. [28]
Повышение входного сопротивления транзистора при малых входных токах приводит к изгибу нижней части сквозной динамической характеристики, что при слабых сигналах вызывает появление значительных нелинейных искажений. Поэтому в каскадах, работающих в режиме В с изменяющейся амплитудой сигнала, на базу относительно эмиттера подают небольшое отрицательное смещение ( 0 1 - г - 0 2 в для германиевых транзисторов) от низкоомного делителя напряжения. При этом сквозная характеристика спрямляется и нелинейные искажения при слабых сигналах практически исчезают. [29]
Повышение входного сопротивления транзистора при малых входных токах приводит к изгибу нижней части сквозной динамической характеристики, что при слабых сигналах вызывает появление значительных нелинейных искажений. Поэтому в каскадах, работающих в режиме В с изменяющейся амплитудой сигнала, на базу относительно эмиттера подают небольшое отрицательное смешение ( 0 1 - 0 2 в для германиевых транзисторов) от низкоомного делителя напряжения. При этом сквозная динамическая характеристика каскада спрямляется и нелинейные искажения при слабых сигналах практически исчезают. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5