Входное сопротивление - транзистор
Cтраница 3
Благодаря значительному входному сопротивлению транзистора эмиттерный повторитель практически не нагружает предыдущий каскад. Это весьма ценно, так как транзисторные каскады с общим эмиттером и тем более с общей базой имеют небольшое входное сопротивление. [31]
Так как входное сопротивление транзистора меняется с изменением тока и коэффициента усиления, то нагрузка вторичной обмотки согласующего трансформатора постоянно меняется. Для того чтобы получить определенный ход частотной зависимости в области низких частот, индуктивность первичной обмотки согласующего трансформатора необходимо определить исходя только из сопротивления источника сигнала при разомкнутой цепи вторичной обмотки. [32]
 |
Эквивалентные схемы входной цепи транзистора. [33] |
Следовательно, входное сопротивление транзистора с общей базой увеличивается с ростом частоты из-за падения hzi3 на высоких частотах. [34]
Лвхтр - входное сопротивление транзистора, Лист - сопротивление источника сигнала; при параллельной подаче смещения необходимо учесть шунтирование трансформатора цепью смещения. [35]
Итак, входное сопротивление транзистора зависит не только от его собственных параметров ( гб, гд, гк и гт), но и от нагрузочного сопротивления Z, а выходное - от внутреннего сопротивления Zt источника сигнала. [36]
Так как входное сопротивление отпертого транзистора невелико, то и напряжение на базе мало. Это позволяет использовать диод с небольшим обратным напряжением. Рабочая частота его должна соответствовать указанной в задании на рассчитываемый ограничитель. [37]
Bxy - входное сопротивление транзистора Гу в схеме с общим эмиттером ( определяется из входной характеристики Ту при f / к О); rdi - динамическое сопротивление стабилитрона. [38]
 |
Выходные ( а и входные (. 6 характеристики транзистора. [39] |
Для определения входного сопротивления транзистора в точке О проводим касательную к входной характеристике транзистора. [40]
 |
Принципиальная схема установки для измерения динамических параметров транзисторов. [41] |
Для измерения входного сопротивления транзистора вольтметр переключается в положение ивх, тогда его показание в милливольтах, умноженное на 100, соответствует входному сопротивлению в омах. [42]
 |
Простейшие усилительные схемы при включении транзистора с общей базой (, общим эмиттером ( б и общим коллектором ( в. [43] |
Для определения входных сопротивлений транзистора воспользуемся эквивалентными схемами, которые должны отражать реальные свойства замещаемых транзисторов. [44]
Из-за увеличения входного сопротивления транзистора Т, увеличивается напряжение на его базе, создаваемое запирающим током базы. Однако это изменение напряжения также очень мало. После выхода транзистора 7 из режима насыщения ток в его коллекторе в результате продолжающегося воздействия запирающего тока базы начинает уменьшаться, напряжение на коллекторе получает отрицательное приращение. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5