Поверхностное сопротивление - пленка
Cтраница 1
 |
Зависимость удельного сопротивления пленки от ее толщины. [1] |
Поверхностное сопротивление пленки из этого сплава достигает 300 Ом / квадрат при малом температурном коэффициенте сопротивления. Температура испарения сплава значительная ( 1600 С), причем для получения высококачественного пленочного резистора подложка должна подогреваться до 300 - 350 С. [2]
Не случайно с уменьшением поверхностного сопротивления пленки ( см. рис. 3.14) затухание возрастает. [3]
Применение керметоа позволяет значительно повысить поверхностное сопротивление пленок без уменьшения толщины. Обычно используются пленки с сопротивлением 500 - 1000 Ом / квадрат. Пленки с более высоким сопротивлением часто имеют малую толщину ( около 0 01 мкм) и поэтому могут разрушаться при подсоединении выводов. [4]
 |
Схематическое изображение пленочных резисторов. [5] |
По сравнению с диффузионными тонкопленочные резисторы обладают следующими преимуществами: поверхностное сопротивление пленок может быть значительно больше, чем у диффузионнных слоев, и может регулироваться независимо от параметров активных компонентов схем; температурный коэффициент сопротивления меньше; легче контролировать номинал резистора при одновременной подстройке абсолютной величины сопротивления; меньшие значения паразитных параметров. [6]
 |
Характеристики затухания волны Ню. [7] |
Результаты решения уравнения (3.22) для волны Н10 при различных значениях поверхностного сопротивления пленки представлены на рис. 3.11, 3.12. На рис. 3.11 приведены зависимости фазовой постоянной ( 5, на рис. 3.12 - коэффициента затухания р от частоты. [8]
 |
Зависимость ТКС от поверхностного сопротивления для пленок различных кррметов. [9] |
Было найдено, что при исходном содержании SiO порядка 20 % поверхностное сопротивление пленок Cr - SiO ( с применением стабилизирующей термообработки) воспроизводилось с точностью 2 % от напыления к напылению. [10]
 |
Характеристики волны EOI при. 5. п / г20 5. [11] |
На рис. 4.3 представлены результаты решения дисперсионного уравнения (4.8) для волны E0i при различных значениях поверхностного сопротивления пленки. Численные расчеты подтверждают отсутствие у симметричной Е - волны критических частот. При достаточно больших поверхностных сопротивлениях пленки, как видно из рис. 4.3, дисперсионные характеристики, начиная с некоторой частоты, проходят вблизи диспер-синной характеристики обычного двухслойного волновода с теми же параметрами. На рис. 4.3 она изображена штриховой линией. Сближение характеристик, как правило, начинается на частотах, немного превышающих критическую частоту волны E0i обычного двухслойного волновода. [12]
Результаты расчета коэффициента отражения основной волны от согласованной нагрузки в диапазоне частот, соответствующем одноволновому режиму полого волновода, при / 3а и различных значениях поверхностного сопротивления пленки приведены на рис. 3.38. Из рисунков видно, что качество согласования волновода с резистивной пленкой зависит от частоты и в значительной мере определяется поверхностным сопротивлением пленки. В табл. 3.3 приведены результаты сравнения вычисленных значений коэффициента отражения с экспериментально измеренными. [13]
 |
Характеристики волны НЕп для различных значений поверхностного сопротивления пленки. [14] |
НЕП приведены на рис. 3.21, 3.22, где Р Р7 & о - На рис. 3.21 представлены зависимости фазовой постоянной и коэффициента затухания от частоты при различных значениях поверхностного сопротивления пленки. Как видно из рисунка, на низких частотах с увеличением поверхностного сопротивления пленки затухание уменьшается. Это говорит о преобладании в пленке поперечных токов. На высоких частотах наблюдается противоположная зависимость, свидетельствующая о том, что в верхнем участке частотного диапазона в пленке происходит перераспределение продольных и поперечных токов. [15]
Страницы: 1 2 3