Cтраница 3
В общем случае, как указал Ван-дер Пау [335], для измерения сопротивления объектов нерегулярной формы с помощью четыре точечных зондов, расположенных по периферии объекта, необходимо иметь по крайней мере два разных значения тока и напряжения. Для подсоединения, приведенного на рис. 60, величина поверхностного сопротивления пленки определяется из одного измерения R, 4 53 VII. При этом показания напряжения на цифровом вольтметре будут численно равны поверхностному сопротивлению. Помимо преимуществ, связанных с четырехзондовыми измерениями, этот тип датчика обладает и рядом других достоинств. Так например, можно показать, что небольшие изменения в диаметре круговой площади пленки, вызванные неправильной установкой маски или изменением зазора между маской и подложкой, приводят к пренебрежимо малым изменениям показаний. [31]
![]() |
Распределение поля волны квази - LMij в трехслойном. [32] |
С ростом частоты увеличивается провал при л: 0 в распределении компонент поля, непрерывных на пленке. Из рис. 3.26 видно, что с уменьшением поверхностного сопротивления пленки разрыв тангенциальных компонент магнитного поля на ней возрастает. Это объясняется увеличением поверхностного тока проводимости. [33]
![]() |
Дисперсионные характеристики волны НЕц.| Характеристики затухания волны НЕц. [34] |
Результаты решения дисперсионного уравнения для волны НЕц приведены на рис. 3.13, 3.14. Из рис. 3.13 видно, что волна НЕц действительно не имеет критической частоты. При малых значениях поверхностного сопротивления, как и у волны Ню, дисперсионные характеристики могут иметь немонотонный характер. При этом коэффициент затухания с ростом частоты сначала нарастает, а затем начинает уменьшаться, стремясь в пределе ( ю - - оо) к нулю. Таким образом, в поведении характеристик затухания также обнаруживается общность с волной Ню. Как видно из рис. 3.14, при некотором значении поверхностного сопротивления пленки ( n S Ом / П) можно получить практически постоянное затухание в широкой полосе частот. Этот факт необходимо учитывать при выборе материала пленок, используемых в широкодиапазонных СВЧ-устройствах. [35]
Как и во всех предыдущих случаях, у них отсутствуют критические частоты. В низкочастотной области волны являются быстрыми. Резкое нарастание коэффициента замедления J3 начинается вблизи критических частот соответствующих волн волновода без пленки. Здесь же наблюдается резкое уменьшение затухания. В области высоких частот волны распространяются с малым затуханием, имеющим слабую частотную зависимость. Как видно из рис. 3.24 6, с уменьшением поверхностного сопротивления пленки увеличивается затухание волн в диапазоне частот, соответствующем диапазону распространяющихся волн в обычном трехслойном волноводе, что говорит о преобладании в пленке у волн рассмотренных типов поперечных токов. На низких частотах ( ниже критических частот волн обычного волновода) поле слабо взаимодействует с резистивной пленкой, в связи с чем характеристики затухания идут вблизи характеристик затухания волн волновода без пленки и мало зависят от проводимости последней. Таким образом, затухание на низких частотах имеет предельный характер. Влияние проводимости пленки на характер частотной зависимости коэффициента замедления определяется типом волны. Численные исследования показывают, что увеличение толщины диэлектрической пластины приводит к увеличению коэффициента замедления и уменьшению затухания. [36]