Поверхностное сопротивление - пленка
Cтраница 2
В тех случаях, когда все резисторы на подложке имеют одинаковый состав и основным источником погрешности является плохой контроль величины поверхностного сопротивления при формировании пленки, становится целесообразной подгонка поверхностного сопротивления пленки па всей подложке. Для этого применяется ряд методов. [16]
В случае тонкопленочной технологии уровень помех в цепях за счет общих проводимостей может значительно возрасти не только из-за уменьшения линейных размеров ( толщины проводников), но и из-за влияния поверхностного сопротивления пленок. [17]
Результаты расчета коэффициента отражения основной волны от согласованной нагрузки в диапазоне частот, соответствующем одноволновому режиму полого волновода, при / 3а и различных значениях поверхностного сопротивления пленки приведены на рис. 3.38. Из рисунков видно, что качество согласования волновода с резистивной пленкой зависит от частоты и в значительной мере определяется поверхностным сопротивлением пленки. В табл. 3.3 приведены результаты сравнения вычисленных значений коэффициента отражения с экспериментально измеренными. [18]
 |
Дисперсионная характеристика волны ЕНп в волноводе ( а и ее характеристика затухания ( б. [19] |
Качественное поведение дисперсионных характеристик при сосокр такое же, как и в обычном двухслойном экранированном волноводе. С увеличением поверхностного сопротивления пленки при со ( ОкР коэффициент затухания увеличивается. Из рис. 4.7 6 видно, что на частотах, соответствующих интервалу АВ на рис. 4.8, затухание мало: волна с отрицательной фазовой скоростью распространяется практически без затухания. Численные исследования показывают, что волна ЕН, критических режимов ( р р 0 или р 0, f5 V0) не имеет, рис. 4.9 а. Коэффициент затухания ( рис. 4.9 6) с увеличением частоты сначала возрастает, затем монотонно уменьшается до нуля. [20]
Из выражения для сопротивления тонкопленочного резистора видно, что теоретически можно добиться бесконечно большого сопротивления даже в пленках благородных металлов, уменьшая их толщину. На практике добиться высокого поверхностного сопротивления пленок высокопроводящих материалов ( Аи, Си, Ag) не удается в связи с физическими законами образования пленок. [21]
НЕП приведены на рис. 3.21, 3.22, где Р Р7 & о - На рис. 3.21 представлены зависимости фазовой постоянной и коэффициента затухания от частоты при различных значениях поверхностного сопротивления пленки. Как видно из рисунка, на низких частотах с увеличением поверхностного сопротивления пленки затухание уменьшается. Это говорит о преобладании в пленке поперечных токов. На высоких частотах наблюдается противоположная зависимость, свидетельствующая о том, что в верхнем участке частотного диапазона в пленке происходит перераспределение продольных и поперечных токов. [22]
Она представляет собой многоступенчатый делитель напряжения. Если одновременно изменить в одинаковое число раз сопротивления R и R, что соответствует изменению поверхностного сопротивления пленки, коэффициент деления при постоянном токе останется неизменным. [24]
Результаты решения уравнения (3.27) при m nl представлены на рис. 3.18, 3.19. Из рис. 3.18 видно, что волна НЕП в рассматриваемом волноводе не имеет критической частоты. В отличие от волн в волноводах, просто перегороженных пленкой ( без диэлектрической пластины), фазовая постоянная волны НЕП в рассматриваемом волноводе мало зависит от поверхностного сопротивления пленок: сказывается доминирующее влия ние на фазовую скорость диэлектрика. Характеристики затухания в целом ведут себя так же, как в рассмотренных выше случаях: сначала с ростом частоты наблюдается увеличение затухания, затем оно монотонно убывает и при к - - о стремится к нулю. [25]
Рассмотрим распределения полей волн в однородно заполненном волноводе, перегороженном вдоль оси ре-зистивной пленкой, и в волноводе с диэлектрической пластиной, имеющей одностороннее резистивное покрытие. Результаты расчета распределения поля волны НЕП, ЕНц ( пока вопрос о классификации не решен) по поперечному сечению волновода, симметрично перегороженного вдоль оси резистивной пленкой, полученные с использованием дисперсионных характеристик и характеристик затухания, приведенных в предыдущем параграфе, представлены на рис. 3.25, 3.26. На рис. 3.25 изображена частотная зависимость распределения поля, на рис. 3.26 - зависимость его от поверхностного сопротивления пленки. [26]
 |
Характеристики волны EOI при. 5. п / г20 5. [27] |
На рис. 4.3 представлены результаты решения дисперсионного уравнения (4.8) для волны E0i при различных значениях поверхностного сопротивления пленки. Численные расчеты подтверждают отсутствие у симметричной Е - волны критических частот. При достаточно больших поверхностных сопротивлениях пленки, как видно из рис. 4.3, дисперсионные характеристики, начиная с некоторой частоты, проходят вблизи диспер-синной характеристики обычного двухслойного волновода с теми же параметрами. На рис. 4.3 она изображена штриховой линией. Сближение характеристик, как правило, начинается на частотах, немного превышающих критическую частоту волны E0i обычного двухслойного волновода. [28]
В этом заключается существенное преимущество данного метода по сравнению с предыдущим, так как скорость электризации является таким же важным параметром, как максимальный заряд и поверхностное сопротивление. Величина возникающего заряда определяется состоянием равновесия двух противоположных процессов: скорости возникновения и скорости исчезновения заряда. При достаточно малом поверхностном сопротивлении пленки заряд быстро исчезает, а при высоком - одним из решающих фактрров оказывается скорость роста электрического заряда. [29]
 |
Круглый резисторный датчик с четырьмя симметрично расположенными контактами и блок-схема устройства контроля. [30] |
Страницы: 1 2 3