Омическое сопротивление - база
Cтраница 1
 |
Структура транзистора, положенного в основу рас. [1] |
Омическое сопротивление базы вне пространства эмиттер - коллектор равно нулю. [2]
 |
Эквивалентная шумовая схема транзистора с генераторами дробовых шумов перехо дов и генератором теплового шума сопротивления базы. [3] |
Омическое сопротивление базы с генератором тепловых шумов включается последовательно в цепь базового вывода. [4]
Омическое сопротивление базы зависит от удельного сопротивления материала базы и ее конфигурации. На рис. 5.5 приводятся формулы для расчета гб1 при различной встречающейся на практике геометрии плоскостных транзисторов. [5]
Гб - омическое сопротивление базы, гэ - иЭб / Ля-0 025 / / э - дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода, В / мА; rK rK / ( l - ( - / Z2ia) и гк duK6 / diK - дифференциальные сопротивления коллекторных переходов в схеме с общим эмиттером и с общей базой, определяемые из справочника. [6]
 |
Схема каскада 05. [7] |
Гб - омическое сопротивление базы, значение которого составляет 100 - 150 Ом; гэймЭбА & э - 0 025 / / э - дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода, В / мА; гк гк / ( 1 Л21э) и rK duKQ / diK - дифференциальные сопротивления коллекторных переходов в схеме с общим эмиттером и с общей базой, определяемые из справочника. [8]
 |
Эквивалентная схема фотодиода и фототранзистора с генератором шумового тока. [9] |
Тепловые шумы омического сопротивления базы малы ( так как величина омического сопротивления не превосходит 100 - 150 ом), и их можно не учитывать по сравнению с дробовыми и тем более с избыточными шумами. В том случае, когда фотодиод имеет малый темновои ток, и дробовые шумы в области белого шума малы, шум будет в основном определяться тепловыми шумами сопротивления нагрузки, так как обычно сопротивление нагрузки много больше омического сопротивления базы. [10]
Тепловые шумы омического сопротивления базы фотодиода обычно не превышают нескольких сотен ом, и. Когда через фотодиод проходит малый темновой ток и генерационно-ре-комбинационные шумы в области белого шума малы, шум диода определяется в основном шумами сопротивления нагрузки. [11]
 |
Динамическая модель / проб диода. [12] |
Сопротивление ГБ представляет собой омическое сопротивление базы ( высокоомной области структуры диода), сопротивление Гут - сопротивление утечки реального диода. [13]
Параметр транзистора г 6 представляет собой распределенное омическое сопротивление базы. Его необходимо знать при определении входного сопротивления каскадов. [14]
Выше были рассмотрены результаты включения омического сопротивления базы в общий провод при включении транзистора с общей базой. Анализ полученных для этого случая соотношений показывает, что включение активного сопротивления в цепь базы уменьшает емкостную составляющую входной проводимости и при дальнейшем увеличении сопротивления в общем проводе приводит к появлению индуктивной составляющей входной проводимости. [15]
Страницы: 1 2 3