Омическое сопротивление - база
Cтраница 3
Величина порогового напряжения С / ов зависит от свойств полупроводникового материала, на основе которого выполнен диод; величина сопротивления диода - от площади р - n - перехода, омического сопротивления базы и контактов. [31]
При включении источника напряжения между выводами базы и коллектора токораспределение изменяется: ток коллектора возрастает, а ток базы уменьшается. Соответственно уменьшается падение напряжения на омическом сопротивлении базы, а следовательно, и напряжение между внешними выводами эмиттера и базы транзистора. [32]
Если к диоду было приложено прямое напряжение Unp, то после снятия его до нуля ( а не переключения на обратное), напряжение на диоде скачком уменьшается от Unp до некоторого после-инжекционного напряжения U 0, которое и будет постепенно спадать до нуля. Скачок напряжения обусловлен исчезновением падения напряжения на омическом сопротивлении базы от протекающего прямого тока. Избыточная же концентрация в базе не может измениться мгновенно, поэтому без изменения останется и падение напряжения на самом / ьга-переходе. По мере спада избыточной концентрации уменьшается остаточное ( послеинжек-ционное) напряжение на диоде. Процесс установления нулевого напряжения на диоде после снятия внешнего прямого напряжения является самым медленным из всех рассмотренных переходных процессов, так как исчезновение избыточных носителей в базе в этом случае происходит только за счет процесса рекомбинации. [33]
 |
Эквивалентные схемы для вычисления предельной частоты при коротком замыкании с учетом влияния внешних параметров. [34] |
Рассмотрим, как внешние параметры г б, Спк и г к влияют на предельную частоту по ос. Предположим, что идеальная модель транзистора не имеет омического сопротивления базы и в то же время имеет бесконечное сопротивление, параллельное емкости. [35]
Перспективным является использование для выпрямительных диодов гетеропереходов. В гомопереходах при больших прямых токах происходит значительное выделение тепла, обусловленное потерями на омическом сопротивлении базы и безызлучательной рекомбинацией инжектированных носителей в базе диода. Если для выпрямительного диода использовать р - i-я-структуру, в которой р - и л-области изготовлены из широкозонных полупроводников, а ( - область из узкозонного, то при включении в прямом направлении происходит инжекция электронов и дырок в г - слой. [36]
В области прямых напряжений реальная характеристика проходит ниже теоретической, что объясняется падением внешнего напряжения на сопротивлении базы диода ( сопротивлением эмиттера можно пренебречь, так как концентрация примесей в нем значительно больше, чем в базе), которое не учитывалось при выводе уравнения вольтамперной характеристики. Напряжение, действующее на яр-переходе реального диода, определяется соотношением ип и - ir B, где и - внешнее напряжение, под водимое к диоду; г ъ - омическое сопротивление базы. [37]
Тепловые шумы омического сопротивления базы малы ( так как величина омического сопротивления не превосходит 100 - 150 ом), и их можно не учитывать по сравнению с дробовыми и тем более с избыточными шумами. В том случае, когда фотодиод имеет малый темновои ток, и дробовые шумы в области белого шума малы, шум будет в основном определяться тепловыми шумами сопротивления нагрузки, так как обычно сопротивление нагрузки много больше омического сопротивления базы. [38]
Это эквивалентно настройке выходного контура шумового генератора через проходную емкость, При измерении коэффициента шума часть мощности шумов может проходить в выходную цепь транзистора через проходную емкость контактодержателя. Полный анализ влияния проходной емкости достаточно сложен и громоздок. Основное влияние проходная емкость оказывает на шумы, обусловленные омическим сопротивлением базы. [39]
Собственные шумы фотодиодов играют существенную роль при малых световых потоках. На низких частотах преобладают избыточные ( поверхностные) шумы, а область белого шума обусловлена дробовым шумом и тепловым шумом омического сопротивления базы. [40]
В диапазоне рабочих температур значения а для германиевых триодов можно практически считать постоянными. В кремниевых триодах изменение коэффициента а оказывается более заметным и в значительной степени определяется величиной тока эмиттера; так, для средних значений а ( порядка 0 93) и изменений температуры от 20 до 120 С вариации коэффициента усиления а достигают 5 % при токе эмиттера 1 ма и-10 % при токе 0 1 ма. Следует иметь в виду, что при значительных токах эмиттера ( начиная с нескольких миллиампер) становится существенным падение напряжения на омическом сопротивлении базы, и необходимо учитывать изменение этого сопротивления при изменении температуры. Сопротивление базы увеличивается с ростом температуры пропорционально ТУ. Исключение составляют дрейфовые триоды, сопротивление базы которых в меньшей степени зависит от температуры из-за большой концентрации доноров в области базы. [41]
Рассмотрим факторы, определяющие величину тока насыщения транзистора / к нас. При малой величине этого тока уменьшаются: а) потребляемая мощность; б) влияние омических сопротивлений эмиттера, базы и коллектора. Падение напряжения на омических сопротивлениях коллекторной и эмиттерных областей является составной частью падения напряжения на коллекторе открытого транзистора. Для логических схем с непосредственной связью это падение напряжения должно быть минимальным. Омическое сопротивление базы влияет на скорость выключения транзистора из открытого состояния. [42]
Страницы: 1 2 3