Омическое сопротивление - база
Cтраница 2
Повысить добротность на высоких частотах можно понижением омического сопротивления базы и контактов Гб - Сопротивление Гб является также основным источником шумов в варикапах. [16]
Мгц измерен модуль коэффициента передачи тока Р и омическое сопротивление базы г & шт 5 108 сек-1, г6 43 ом, Р 4 0, fr 4 20 80 Мгц. [17]
Рассмотренная погрешность приводит к тому, что тепловые шумы омического сопротивления базы проявляются не в полной мере из-за влияния проходной емкости. [18]
Емкость эмиттер-база ( диффузионная - - обедненного слоя) и омическое сопротивление базы определяют временную постоянную, величина которой накладывает принципиальное ограничение на частотные характеристики транзистора. [20]
При выключении импульса тока в момент времени t напряжение на омическом сопротивлении базы меняется на величину Д1 / Б / / БМ, где гтм - значение модулированного сопротивления базы. [21]
 |
Схема для исследования динамических в. а. х. цепи управления тиристора. [22] |
Сопротивление промежутка управляющий электрод - катод состоит из сопротивления контактов, омического сопротивления базы и омического сопротивления перехода / 3, параллельно которому подключена барьерная емкость. [23]
Между этой точкой и реально доступным для подключения внешних цепей выводом б всегда существует паразитное омическое сопротивление базы, практически не зависящее от частоты. [24]
В области шумов белого спектра на низких частотах эквивалентное шумовое напряжение определяется тепловым шумом омического сопротивления базы и дробовым шумом коллекторного тока. Эквивалентный шумовой ток представляет дробовой шум тока базы. Эквивалентные шумовые напряжение и ток на этих частотах следует считать некоррелированными. [25]
При больших токах эмиттера гвх с увеличением гэ меняется мало, так как начинает играть большую роль омическое сопротивление базы и контактов. [26]
При изготовлении транзисторов диффузионным методом концентрация примеси в базе получается более высокой у эмиттера, что снижает омическое сопротивление базы г §, и более низкой у коллекторного перехода, что уменьшает его емкость; одновременно повышается пробивное напряжение коллектора. [27]
В области шумов типа 1 / f сопротивление КГОпт при рабочих токах не ниже 200 мка равно величине омического сопротивления базы. При уменьшении рабочего тока ниже 200 мка сопротивление ГОпт растет, что объясняется как относительным, так и абсолютным увеличением влияния дробового шума тока коллектора на эквивалентное шумовое напряжение. [28]
Из анализа этих выражений видно, что с увеличением частоты коэффициент усиления по току стремится к нулю, а сопротивление входа - к определенной величине, равной омическому сопротивлению базы. Следует иметь в виду, что значение емкости коллектора изменяется примерно обратно пропорционально корню квадратному или корню кубическому из величины коллекторного напряжения. [29]
 |
Характеристики диодов ВК. 2 - 200. [30] |
Страницы: 1 2 3