Общее тепловое сопротивление

Cтраница 1

Общее тепловое сопротивление менее 180 К / Вт обеспечивается при любом способе крепления диода при условии сохранения длины вывода не менее 20 мм. В качестве радиатора рекомендуется применять металлическую пластину размером 10 X 15x2 мм - для каждого вывода, припаянную на расстоянии 1 мм от корпуса диода. [1]

Общее тепловое сопротивление в основном зависит таким образом от тепловых сопротивлений по обе стороны стенки. [2]

Общее тепловое сопротивление менее 180 К / Вт обеспечивается при любом способе крепления диода при условии сохранения длины вывода не менее 20 мм. В качестве радиатора рекомендуется применять металлическую пластину размером 10 х 15 х 2 мм2 для каждого вывода, припаянную на расстоянии 1 мм от корпуса диода. [3]

Пример построения теплового поля трех-жильного кабеля. [4]

Общее тепловое сопротивление можно получить, сложив последовательно и параллельно ( в соответствии с картиной поля) сопротивления отдельных ячеек. [5]

Рабочая область выходных характеристик транзистора. [6]

Общее тепловое сопротивление транзистора т определяет интенсивность отвода от коллекторного перехода через корпус транзистора в окружающую среду. В транзисторах средней и большой мощности обычно имеется электрический контакт коллектора с корпусом. [7]

Общее тепловое сопротивление прибора может быть разделено на два: внутреннее тепловое сопротивление между переходом и корпусом прибора и внешнее тепловое сопротивление между корпусом и окружающей средой. [8]

Общее тепловое сопротивление кабелей, проложенных в блоках, рассматривается обычно как состоящее из трех тепловых сопротивлений, а именно: Rti. [9]

Эквивалентная схема заме - [ IMAGE ] ИМС ( а и ее упрощенная физичес-щения теплопередачи от кристалла кая модель ( б к окружающей среде. [10]

Корпус определяет общее тепловое сопротивление между верхней поверхностью кристалла и окружающей средой. Наличие под кристаллом основания корпуса, с которым кристалл непосредственно соприкасается, влияет на распределение температуры по верхней поверхности кристалла, а следовательно, и между отдельными элементами ИМС. Тепловые характеристики остальных элементов корпуса ИМС смоделированы в виде полосы 4, проходящей по наружному краю прямоугольного блока. Источниками тепла являются транзисторы ( группы транзисторов) 1, созданные на кристалле. [11]

К расчету теплопроводности многослойной стенки. [12]

Следовательно, общее тепловое сопротивление R является суммой сопротивлений последовательных слоев. [13]

Его называют общим тепловым сопротивлением радиатора. [14]

Электроизоляционные прокладки увеличивают общее тепловое сопротивление. [15]

Страницы: 1 2 3 4