Состояние - отсечка
Cтраница 1
 |
Влияние температуры на характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. [1] |
Состояние отсечки достигается подачей на переходы база - эмиттер и база - коллектор обратного напряжения. Практически режим отсечки достигается и при прямом напряжении ( У6э, близком к нулю. Транзистор находится в состоянии насыщения, если обеспечить режим, когда на переходах база - эмиттер и база - коллектор будет прямое напряжение. В режиме насыщения сопротивление перехода коллектор - эмиттер минимально. Активный режим является основным режимом работы транзистора при использовании его в качестве аналогового усилителя. Режим отсечки и насыщения используются при работе транзистора и переключающих схемах. [2]
Транзистор заперт ( состояние отсечки тока) - на базе запирающий потенциал ( обратного знака по сравнению со знаком смещения коллектора), тока в цепи коллектора практически нет ( очень мал по сравнению с отпертым состоянием транзистора), напряжение коллектор-эмиттер почти равно напряжению источника питания, напряжение на сопротивлении нагрузки близко к нулю. [3]
Сопротивление транзистора в состоянии отсечки составляет десятки мегаом, а в состоянии насыщения - несколько ом. Поэтому в приближенных инженерных расчетах можно принимать это сопротивление бесконечно большим в первом случае и равным нулю во втором. [4]
ПП находится в состоянии отсечки, а ПП2 открыт и насыщен. Конденсатор С2 на входе цепи управления установлен для подавления импульсных помех. [5]
Транзистор Т11 переходит в состояние отсечки, но состояние триггера и ключевого каскада еще не изменяется: транзистор Т12 остается в насыщенном состоянии, а Т13 и Т14 - в состоянии отсечки. [6]
Заперт ( выключен - состояние отсечки тока) вследствие действия запирающего смещения на входном электроде; ток в цепи коллектора при этом очень мал по сравнению с током в отпертом транзисторе, напряжение коллектор - эмиттер почти равно напряжению источника питания, напряжение на нагрузке близко к нулю. [7]
 |
Принципиальная схема модуля блокировки МБ-1. [8] |
Когда транзистор VT6 находится в состоянии отсечки, ток в его коллекторной цепи отсутствует. Напряжение на базе транзистора VT5 при этом равно нулю, и он закрыт. Тиристор VT4, у которого на управляющем электроде имеется положительное напряжение, включен, и цепь источника 250 В подсоединена к нагрузке. Диод VD2 через резистор R13 подсоединен к резистору R11, включенному последовательно с нагрузкой, но до фильтра выпрямителя. [9]
Так происходит до выхода транзистора из состояния отсечки. Заметное нарастание тока коллектора начинается только после этого. На длительность фронта коллекторного тока она практически не влияет. При выключении перезаряд емкости Сх начинается после того, как коллекторный ток спадет практически до нуля. Следовательно, и на спад тока коллектора эта емкость не влияет, а лишь несколько задерживает обратное смещение эмиттерного перехода и возвращение транзистора в исходное состояние. [10]
При этом транзистор Т4 находится в состоянии отсечки, Т5 - в состоянии насыщения и выходные контакты поляризованного реле замкнуты. Когда блокирующий транзистор переводится в состояние отсечки, базовая цепь транзистора Т4 не шунтируется. [11]
При этом транзистор ЯЯ4 находится в состоянии отсечки, ЯЯ5 - в состоянии насыщения, ток проходит только но обмотке Р ( 2 - 13) и выходные контакты поляризованного реле замкнуты. Когда блокирующий транзистор находится в состоянии отсечки, базовая цепь транзистора ЯЯ4 не шунтируется. В этом случае на время действия отрицательного импульса, приходящего от задающей части, транзистор ЯЯ4 переходит в состояние насыщения, ЯЯ5 - в состояние отсечки, ток протекает только по обмотке Р ( 2 - 12), контакты реле разомкнуты. На время пауз между импульсами выходные ключевые каскады и реле возвращаются в исходное состояние. Управление блокирующим транзистором ЯЯ ] 5 осуществляется по двум путям. Первое соединено с выходом логической части схемы, второе - с выходом счетной схемы. [12]
Время перехода Т4 из состояния насыщения в состояние отсечки не превышает 40 мксек. Это время, а также задержка на время заряда конденсаторов С1 и С2 никак не влияют на режим работы пробного реле, обмотка которого подключается контактом реле Д 1ГИ ( или реле И Н / 1УГИ) несколько позже, уже после того, как все переходные процессы закончились. [13]
Время выключения ( от состояния насыщения до состояния отсечки) состоит из двух частей: времени накопления и времени затухания. Время накопления представляет собой время движения рабочей точки из области насыщения в активную область после окончания управляющего тока и зависит от частотной характеристики кристаллического триода в области насыщения. [14]
 |
Одностабильная схема Т отрицательной ОТНОСИ-на плоскостных триодах. тельно земли и, таким обра. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5