Состояние - отсечка
Cтраница 3
Основные недостатки транзисторов заключаются в отсутствии полного разрыва цепи в состоянии отсечки, гальванической связи цепи управления ( базы) и нагрузки, в зависимости параметров от температуры. [31]
При таком сопротивлении после срабатывания реле транзистор VT1 находится в состоянии отсечки. [32]
 |
Форма импульсов в типовой одностабильной схеме. [33] |
Естественно, что ввиду большой постоянной времени гъ С в состоянии отсечки для разряда емкости требуется значительное время. Это определяет верхний предел частоты повторения цепи. [34]
 |
Расчетная схема двухкаскадного усилителя. [35] |
Каждый триод усилителя может находиться в одном из трех состояний: состоянии отсечки О, состоянии насыщения Н и активном состоянии А. Если межкаск-адная связь обеспечивает выполнение условий ( 27) я ( 28), указанных в предыдущем параграфе, то полная раскачка выходного триода ( переход из состояния Н в состояние О) будет осуществляться при работе входного триода в активном состоянии. [36]
В режиме D транзистор потребляет очень малую мощность, поскольку в состоянии отсечки при высоком напряжении на коллекторе очень мал коллекторный ток, а в состоянии насыщения при большом коллекторном токе напряжение значительно меньше 1 В. [37]
В полупроводниковых релейных аппаратах и логических элементах триод находится либо в состоянии отсечки О, либо в насыщенном состоянии Я. Переход из одного состояния в другое происходит так быстро, что определяющим по нагреву является только насыщенное состояние Я, когда падение напряжения на триоде мало. Такой режим триода называется ключевым. [38]
 |
Диодные логические схемы. а схема. или. fi схема. и. в схема с запретом. [39] |
Только когда все три диода D, D2 и Дз находятся в состоянии отсечки, одновременной подачей положительного входного напряжения к каждому из трех входных зажимов, напряжение на эмиттере может увеличиться и перебросить схему в область высокой проводимости. На рис. 12.40 в показан двухвходовый логический селектор и с запретом. [40]
Когда разрядный ток станет ниже величины, необходимой для поддержания TI в состоянии отсечки, Т начинает проводить и схема возвращается обратно в свое стабильное состояние. [41]
От действия обратного ( запирающего) напряжения на базе транзистор находится в состоянии отсечки тока: ток в цепи коллектора и напряжение на нагрузке очень малы, напряжение между коллектором и эмиттером практически равно напряжению источника питания. [42]
Транзисторы образуют ждущий мультивибратор, работа которого определяется поочередным переходом каждого из них из состояния отсечки в состояние насыщения. [43]
Динамические потери в транзисторе представляют собой сумму мощности, рассеиваемой в транзисторе при переходе из состояния отсечки в состояние насыщения, и мощности, рассеиваемой в транзисторе при переходе из состояния насыщения в состояние отсечки. [44]
 |
Схемы с транзистором. а - общий эмиттер. б - общая база.| Параметры переключения транзистора.| Характеристики транзистора. а - общий эмиттер. б - общая база. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5