Состояние - отсечка
Cтраница 2
Приложение отрицательного запускающего импульса перебрасывает Т в состояние отсечки, а Т2 - в состояние проводимости. [16]
Положение, определяемое точкой / и называемое состоянием отсечки, характеризуется тем, что хотя напряжение UK6 велико ( приблизительно равняется напряжению Ек), ток в цепи коллектора мал, поэтому мощность, рассеиваемая триодом Рт, также мала. [17]
В исходном состоянии эти каскады находятся в состоянии отсечки, так как на эмиттеры подается отрицательное запирающее смещение. Запуск генератора импульсов выбранной частоты производится заземлением эмиттера транзистора соответствующего буферного каскада. В остальном задающая часть аналогична описанной выше, имеет те же характеристики и регулировки. Выходные ключи отличаются тем, что для защиты транзисторов от перенапряжений, возникающих при переходе их в состояние отсечки, применены цепи R14 - С4 и С5 вместо шунтирующих диодов. [18]
Это необходимо для форсировки процесса переключения триода из состояния отсечки в состояние насыщения. [19]
Потенциал земли на входе вводит нижний транзистор в состояние отсечки, а верхний-во включенное ( замкнутое) состояние, в результате чего на выходе будет высокий логический уровень. Высокий ( f / cc) уровень входа действует противоположным образом, давая на выходе потенциал земли. Это инвертор с низким выходным сопротивлением в обоих состояниях и в нем совершенно отсутствует ток покоя. Называют его КМОП-инвертор ( инвертор на комплементарных МОП-транзисторах), и он является базовой структурой для всех цифровых логических КМОП-схем-семейства, которое уже стало преобладающим в больших интегральных схемах ( БИС) и которому, похоже, предопределено заменить более ранние семейства логических схем ( так называемые ТТЛ-схемы), построенные на биполярных транзисторах. [20]
Эффект переброса спусковой схемы эквивалентен переключению схемы из состояния отсечки в состояние насыщения. Из рассмотрения эквивалентных схем, изображенных на рис. 12.11 с и 12.12 в видно, что они соответствуют схемам, показанным на рис. 12.14 а, где г9 и гк - есть значения сопротивлений в состоянии отсечки. Ниже приводится подробный анализ схем такого типа. [21]
В ключевом режиме очень важно знать время переключения из состояния отсечки в состояние насыщения и наоборот. [23]
ТТп) с помощью коммутирующего конденсатора С переключается в состояние отсечки. Следовательно, каждый входной импульс смещает проводящее состояние счетной схемы на один шаг. [25]
С окончанием последнего импульса серии транзистор Т16 переходит в состояние отсечки, и ток, возникший в базовой цепи Т15 и проходящий через резисторы R49, R52, переводит в состояние насыщения блокирующий транзистор. В результате этого прекращаются переключения в выходных каскадах. Такое состояние датчика сохраняется до размыкания пускового контакта, после чего переходит в исходное насыщенное состояние транзистор Т11, а транзисторы Т13 и Т14 - в состояние отсечки. [26]
С окончанием последнего импульса серии транзистор ЯЯ переходит в состояние отсечки, и отрицательное смещение с его коллектора переводит в состояние насыщения блокирующий транзистор ЯЯ15, в результате чего прекращаются переключения в выходных каскадах. Такое состояние датчика сохраняется до размыкания пускового контакта, после чего переходит в исходное насыщенное состояние транзистор ЯЯц, а транзисторы ЯЯ и ЯЯИ - в состояние отсечки. [27]
Для повышения скорости переключения транзисторных схем при их переходе в состояние отсечки применяют фиксацию нижнего уровня выходного напряжения. [28]
 |
Амплитудно-частотная о / к0 и фазо-частотная q a характеристики транзистора в схеме с общей базой. [29] |
При работе в ключевом режиме транзистор попеременно находится то в состоянии отсечки, то в состоянии насыщения. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5