Ридберговское состояние
Cтраница 2
Присутствие диффузных полос с коротковолновой стороны системы 1528 А не позволяет наблюдать переходов на более высокие ридберговские состояния и найти более точное значение потенциала ионизации. Эти частоты отнесены соответственно к колебаниям vJJ, v t и Vj в возбужденном состоянии. [16]
В табл. 5 приведено сопоставление частот колебаний MI и со2, обнаруженных для основного молекулярного состояния Ль для ридберговского состояния 1В, соответствующего возбуждению 2рх ( О) - электрона, и для иона, соответствующего первой полосе фотоэлектронного спектра. Приводятся данные для Н2О и D2O, чтобы показать идентичность колебаний a i и сог во всех трех состояниях. [17]
Уравнение ( 1 73) может чуть-чуть меняться при сильном разрыве Z-связи; это случается наиболее часто для ридберговских состояний. В уравнении ( 1 76) в качестве mt в большинстве случаев можно использовать атомные веса. Таким образом частично учитывается влияние электронов на момент инерции. [18]
Ридберговским кристаллом ( РК) принято называть решетку в узлах которой помешены атомы ( молекулы), находящиеся в высоковозбужденных, ридберговских состояниях. Такая совокупность ридберговских атомов характеризуется средним межатомным расстоянием порядка их размеров. Благодаря коллективизации движения валентных электронов РК обладает металлическими свойствами вещества с плотностью разреженного газа и плотностью запасенной энергии порядка 10 эВ / атом. С повышением температуры РК трансформируется в аморфное состояние или в жидкую фазу. [19]
Вероятность многоканального распада с образованием фрагментарных ионов возрастает с повышением энергии резонансного состояния - поэтому электронно-возбужденные фешбаховские резонансы в области ридберговских состояний молекул проявляются набором фрагментарных ионов, образующихся в одной энергетической области. Правда, в случае названных выше ре-зонансов возможно наложение друг на друга близко расположенных нескольких резонансных состояний, и отличить многоканальный распад одного состояния временноживущего молекулярного иона от такого наложения подчас трудно, тем более что при многоканальной диссоциации на фрагментарные ионы положения максимумов выхода отдельных ионов на шкале энергии электронов, оставаясь в пределах одной резонансной области, не совпадают в общем случае друг с другом и с энергией максимума резонанса. [20]
 |
Квадрат модуля фурье-образа рассчитанного спектра для туннельной структуры, использованной в эксперименте ( при В 11 4 Тл, & 20. [21] |
Сначала атомы водорода в пучке возбуждаются лазером из основного состояния в состояние с п 2, а затем вторым лазером - в одно из ридберговских состояний. Далее возбужденный атом ионизируется в электрическом поле. Измеряя энергию освободившихся электронов, можно с учетом длины волны второго лазера определить спектр ридберговских состояний атома водорода. [22]
В спектре XeF2 наблюдается совокупность резких полос в области более высоких энергий относительно полосы с К 1580 А, эти полосы были отнесены к ридберговским состояниям. Резкие полосы в спектре ХеГ2 при 1425, 1335, 1215 и 1145 А обусловлены одноэлектронными возбуждениями с е1и - орбитали. Первые две полосы обусловлены возбуждением ридберговских состояний s - типа. Следует отметить, что обнаружены возбужденные состояния атома ксенона 3 /) i и 1Р1 с длинами волн переходов ol469 и 1295 А соответственно. Расщепление полос 1425 и 1335 А в спектре XeF2 обусловлено спин-орбитальным взаимодействием jo - электронов атома ксенона. Полосы 1215 А и 1145 А могут соответствовать ридберговским состояниям d - типа. С другой стороны, все четыре ридберговские полосы, наблюдавшиеся для XeF2, возможно, принадлежат тем же сериям. [23]
В спектре XeF2 наблюдается совокупность резких полос в области более высоких энергий относительно полосы с Я, - 1580 А, эти полосы были отнесены к ридберговским состояниям. Резкие полосы в спектре XeF2 при 1425, 1335, 1215 и 1145 А обусловлены одноэлектронными возбуждениями с е ] ц-орбитали. Первые две полосы обусловлены возбуждением ридберговских состояний s - типа. Следует отметить, что обнаружены возбужденные состояния атома ксенона 3 / 1 и lPi с длинами волн переходов Д469 и 1205 А соответственно. Расщепление полос 1425 и 1335 А в спектре XeF2 обусловлено спин-орбитальным взаимодействием / - электронов атома ксенона. Полосы 1215 А и 1145 А могут соответствовать ридберговским состояниям d - типа. С другой стороны, все четыре ридберговские полосы, наблюдавшиеся для XeF2, возможно, принадлежат тем же сериям. [24]
По существу РВ как и РК есть метастабильная конденсированная фаза неравновесного состояния среды, возникающая, в основном, при распаде неидеальной низкотемпературной плазмы или при лазерном возбуждении атомных, молекулярных, кластерных или аэрозольных частиц в ридберговские состояния. РК как и РВ проявляют себя в атмосферном электричестве, в инфракрасных полосах спектров излучения из межзвездного пространства и в плазме, окружающей болиды и спутники. РК существенно повышает КПД термоэмисион-ных энергетических конверторов, оказывает заметное влияние на теплоизоляцию высокотемпературной плазмы от стенок в установках по ядерному синтезу, а также при обработке тугоплавких материалов плазменными потоками. [25]
Хотя первые наиболее интенсивные члены серии у, так же как и б-серии, сопровождаются несколькими значительно более слабыми колебательными полосами, высокая интенсивность основных 0 - 0-полос в каждой ридберговской серии говорит о том, что конфигурация молекулы СН3 во всех ридберговских состояниях идентична с конфигурацией основного состояния, а, следовательно, во всех ридберговских состояниях молекула СН3 имеет плоскую структуру. [26]
Хотя первые наиболее интенсивные члены серии у, так же как и б-серии, сопровождаются несколькими значительно более слабыми колебательными полосами, высокая интенсивность основных 0 - 0-полос в каждой ридберговской серии говорит о том, что конфигурация молекулы СН3 во всех ридберговских состояниях идентична с конфигурацией основного состояния, а, следовательно, во всех ридберговских состояниях молекула СН3 имеет плоскую структуру. [27]
В тех случаях, когда эффективные массы позитронов и электронов ( или дырок) не слишком отличаются друг от друга, подвижность позитронов дает верхнюю границу дрейфовой подвижности электронов по двум причинам: ( а) поскольку ловушки для электронов неэффективны в качестве ловушек для позитронов, подвижность характеризует только рассеяние на фо-нонах и ее характер не маскируется более эффективным действием примесей; ( б) эффективное поперечное сечение рассеяния позитронов всегда меньше, чем в случае электронов, вследствие того, что электроны могут образовать ридберговские состояния большого радиуса с молекулами кристалла-хозяина [254], в то время как позитроны таких состояний не образуют. [28]
Как уже подчеркивалось выше, серии ридберговских состояний могут появиться не только при переходе электрона с высшей занятой орбитали в основном состоянии на ридберговские орбитали, но также и при переходе его с любой другой орбитали, запятой в основном состоянии. Стабильность этих ридберговских состояний, как и в предыдущих случаях, зависит от того, будет ли орбиталь, с которой удаляется электрон, связывающей, несвязывающей или разрыхляющей. [29]
На рис. 2 показаны положения максимумов эффективного выхода отрицательных ионов для некоторых соединений вместе с величинами ионизационных потенциалов. Связь резонансных состояний с возбуждением ридберговских состояний молекул несомненна. [30]
Страницы: 1 2 3 4