Локальное состояние

Cтраница 1

Потенциальный барьер для прохождения электронов из области / в область / / /. [1]

Локальные состояния вблизи поверхности полупроводника могут находится как на самой поверхности, так и на поверхности оксидного слоя, а также внутри нее. [2]

Потенциальный барьер для прохождения электронов из области / в область / / /. [3]

Чтобы локальные состояния внутри или на поверхности оксидного слоя могли выполнять роль ловушечных центров, электроны должны пройти сквозь оксидный слой, имеющий обычно величину запрещенной зоны до 3 эв. Вероятность преодоления электроном такого барьера мала. [4]

Если локальные состояния имеют водородоподобный спектр, то к ним можно применить теорию излучения ( поглощения) атома водорода. [5]

Исследование локальных состояний в п-электронных спектрах некоторых одномерных макромолекул / / Журн. [6]

Перенос локального состояния упорядоченности, сходный с движением ориентсна, должен иметь место в ассоциированных жидкостях при обмене протонами или при переносе электронов в биологически активных веществах. [7]

Бели имеются локальные состояния ниже1Ги, то они проявляются как центры рассеяния, уменьшая подвижность носителей, хотя действительный захват носителей на этих центрах не происходит. Эмпирический параметр 1 1 описывает закон, по которому концентрация ловушек изменяется с энергией в энергетической щели. В случае больших / концентрация ловушек сравнительно мало зависит от их энергии, И наоборот, если I мало, то с ростом Е, концентрация ловушек изменяется быстро. [8]

Такого рода локальные состояния известны в литературе под названием поверхностных уровней Тамма. [9]

При наличии локального состояния с низкой энтропией в какой-то подсистеме, происходит значительное ускорение роста суммарной энтропии для всей системы. [10]

Схема формирования химической неполноты сгорания при неравномерном смешении топлива и воздуха. [11]

Очевидно, что все возможные локальные состояния будут заключены между прямыми, отвечающими частицам с максимальным ( амакс) и минимальным ( амин) локальными избытками воздуха. Каждому состоянию топки отвечают некоторое усредненное, а также минимальное и максимальное значения коэффициента избытка воздуха. [12]

Для того чтобы описать локальное состояние реагирующей среды, необходимо кроме двух термодинамических переменных ввести, по крайне мере, еще одну независимую величину А, отражающую состав реагирующей среды. [13]

В методе ФГ расчет локальных состояний проводится по теории возмущений в предположении, что зонная структура совершенного кристалла рассчитана каким-либо из методов теории твердого тела. Существенно, что построение функции Грина связано с суммированием по волновому вектору и поэтому требует знания зонной структуры совершенного кристалла в достаточно большом числе точек первой зоны Бриллюэна. Как правило, в расчетах по методу ФГ используется базис функций Ванье ( см. § 2.7) при описании локальных состояний. Однако даже предположение о достаточной локализации возмущения при расчетах на базисе функций Ванье не позволяет выйти за рамки рассмотрения различных модельных задач. [14]

Для оценки ширины зоны локальных состояний, обусловленной периодичностью примеси, можно рассмотреть КРЭЯ TbKuClie, передающую состояния кристалла с ячейкой TIKjClg в точках Г и L суженной зоны Бриллюэна. Из табл. 5.1 видно, что КРЭЯ TlKyCls еще мала. [15]

Страницы: 1 2 3 4