Локальное состояние
Cтраница 3
Не только примеси, но и собственные дефекты кристаллической решетки могут создавать локальные состояния в запрещенной зоне. К числу собственных дефектов относятся наряду с нарушениями в строении кристаллической решетки ( пустые узлы, атомы в междоузлиях и т.п.) также возмущенные состояния собственных атомов. [31]
Не только примеси, но и собственные дефекты кристаллической решетки могут создавать локальные состояния в запрещенной зоне. [32]
Не только примеси, но и собственные дефекты кристаллической решетки могут создавать локальные состояния в запрещенной зоне. К числу собственных дефектов относятся наряду с нарушениями в строении кристаллической решетки ( пустые узлы, атомы в междоузлиях и т.п.) также возмущенные состояния собственных атомов. [33]
Стало ясным огромное значение, которое имеют в формировании свойств металлического сплава локальное состояние кристаллической решетки, отклонения структуры от идеальной, химического состава от однородности, значение элементарных процессов, лежащих в основе структурных и фазовых изменений, среди которых одним из наиболее общих и первичных является процесс диффузии. Развитие многих процессов и изменение структуры и свойств протекает локально и неравномерно. Химическая неоднородность непосредственно связана со структурной, и эта связь существенно определяет кинетические особенности процессов, протекающих в материале, и поведение его в условиях эксплуатации. [34]
 |
Зонная диаграмма, поясняющая процесс образования избыточного тока.. - ширина запрещенной зоны. § / [, Sd - локальные ( дискретные уровни.. р. [35] |
Локальный уровень S d лежит гораздо ниже уровня Ферми в га-области, и свободное локальное состояние заполняется очень быстро. [36]
В соответствии с принципом убывания памяти состояния более отдаленное прошлое влияет слабее на локальное состояние среды в данный момент. [37]
 |
Энергия хемосорбции атомарного водорода на металлах. [38] |
С помощью этого метода или его модификаций в разное время изучались: спектр локальных состояний, связанных с хемосорбированным атомом [40], распределение зарядовой плотности вокруг адсорбированного центра [1], косвенное взаимодействие межд атомами адсорбата [2, 41] и другие вопросы. [39]
Наличие адсорбированных атомов по поверхности полупроводника и в оксидном слое приводит к появлению локальных состояний с различным временем релаксации. Различают быстрые и медленные состояния. Под быстрыми состояниями понимают такие, времена релаксации которых сравнимы с временем жизни неосновных носителей и составляют от сотен микросекунд и менее. Вследствие малого времени релаксации они являются центрами рекомбинации на поверхности. Очевидно, такие состояния расположены непосредственно на поверхности полупроводника под оксидной пленкой. [40]
Если локальные уровни являются чисто пр-имесными или порождаются состояниями примеси и валентной зоны ( локальные состояния смешанного типа), на основе метода ЛКАО можно получить достаточно надежные результаты даже в рамках простейших методов теории молекул. [41]
Ниже рассматривается серия моделей, последовательно приближающихся к случаю реального изолятора со сложной системой локальных состояний в запрещенной зоне. [42]
Рекомбинация через центры захвата осуществляется в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону через локальное состояние, энергетический уровень которого лежит внутри запрещенной зоны. [43]
В условиях внешнедиффузионного режима поверхность твердой фазы находится в квазиравновесии с приповерхностной зоной среды, а локальное состояние примеси в среде квазиравновесно в любой момент кристаллизации. [44]
В соответствии с принципом затухающей памяти состояние, более отдаленное в прошлое, слабее влияет на локальное состояние среды в данный момент. [45]
Страницы: 1 2 3 4