Локальное состояние

Cтраница 2

Предположим, что эволюция внутреннего локального состояния представляет собой марковский процесс. [16]

Если электрон находится в локальном состоянии, то функция (2.3) представляет собой потенциальную яму для электрона, энергия которого определяется при решении соответствующего уравнения Шредингера (1.12), причем в основу расчетов положены следующие предположения. [17]

Энергия ионизации примесей ( в миллиэлектрон-вольтах в наиболее изученных. [18]

Экспериментальные результаты указывают на отсутствие локальных состояний в запрещенной зоне. [19]

Термин интенсивное состояние относится к локальному состоянию элемента системы и определяется значениями интенсивных характеристик данного элемента. [20]

Это означает, что в данном локальном состоянии остается часть времени, в течение которого деталь будет продолжать перемещаться по коммуникационной системе 2-го участка. [21]

Кромка границы начинает появляться, когда локальное состояние тех точек в пространстве, которые уже пересекли складку, начинает отличаться от локального состояния точек, которые этого не сделали: очевидно, что эта кромка фиксирована в пространстве. Никакие из количественных выводов § § 10 и 11 не остаются справедливыми в этой ситуации. [22]

На рис. 5 - 15 изображены локальные состояния некоторого изолятора или полупроводника с энергиями Эг и 52 для случая, когда уровень Ферми F находится под ними. [23]

Другим интересным вопросом является самый процесс возникновения локального состояния. Рассуждение это, однако, не столь тривиально, как кажется на первый взгляд. Процесс локализации электрона является следствием возникновения в некоторой достаточно узкой области пространства ( по-видимому, не больше 10 - 20 А) стационарно существующей ориентационнои поляризации. Последняя обладает существенной инерционностью и время ее формирования не может быть меньше времени диэлектрической релаксации молекул среды ( т - 10 - п - 10 - 10 сек. В то же время не следует забывать, что и тер-молизованный электрон непрерывно и достаточно быстро перемещается в среде. [24]

Соотношение (4.79) может быть использовано для определения энергий локальных состояний при произвольных расстояниях между молекулами примеси и произвольных положениях примесного уровня А. [25]

При учете деформации решетки в окрестности вакансии могут возникнуть локальные состояния большого радиуса. [26]

Образование трещины на границе зерен после достижения предельной пластической деформации ( микрофотография протравленной поверхности. [27]

Из рис. 128 видно, что может возникать также локальное состояние неустойчивости отдельных кристаллов. В среде, периодически неравномерной в смысле деформируемости, предел устойчивости деформации зависит от размеров каждого из составляющих ее элементов и от его модуля упругости. [28]

В настоящем параграфе мы кратко опишем изменения в заполнении локальных состояний в запрещенной зоне, которые происходят, когда концентрация световых носителей становится большой по сравнению с концентрацией темповых носителей. В полупровод-никах, как правило, концентрация световых носителей меньше, чем концентрация темновых носителей, а в изоляторах имеет место обратное соотношение. Анализируя переход от изолятора к полупроводнику, мы для удобства будем ниже считать, что концентрация световых носителей остается постоянной, а меняется концентрация темновых носителей. [29]

Легко доказать, что она выражает собой средний свободный путь движения локального состояния. Это доказательство мы не приводим. [30]

Страницы: 1 2 3 4