Примесное состояние

Cтраница 1

Примесные состояния, у к-рых энергия связи 0 мала по сравнению с g, наз. Глубокие состояния, как правило, возникают, когда осн. [1]

Примесные состояния сильно локализованы и их перекрйтие мало вплоть до содержания индия порядка 1 ат. Это приводит к отсутствию заметной зависимости положения и уширения уровня от содержания индия. [2]

Примесные состояния сильно локализованы и их перекроете мало вплоть до содержания индия порядка 1 ат. Это приводит к отсутствию заметной зависимости положения и уширения уровня от содержания индия. [3]

Проблема примесных состояний в полупроводниках типа AIVBVI, история ее развития и современное состояние весьма своеобразны. [4]

Заполнение же примесных состояний определяется положением уровня Ферми в запрещенной зоне полупроводника. [5]

Дальнейшие исследования примесных состояний в спектрах изотопических смесей бензола [64, 71, 72] ( а также других ароматических соединений [66, 67, 69, 70]) позволили подробно изучить генезис экситонных зон и тем самым явились прямым экспериментальным методом установления связи между экситонным мультипле-том в спектре кристалла и исходным молекулярным термом. [6]

Однако для примесных состояний, помимо основного состояния, которое мы характеризовали значением энергии Ed ( Ea), существуют возбужденные состояния. [7]

Заполнение же примесных состояний определяется положением уровня Ферми в запрещенной зоне полупроводника. [8]

Однако для примесных состояний, помимо основного состояния, которое мы характеризовали значением энергии Ed ( Ea), существуют возбужденные состояния. [9]

При наличии возбужденных примесных состояний концентрация свободных носителей заряда уменьшается вследствие их распределения по возбужденным уровням. Увеличение концентрации доноров приводит к уширению сильновозбужденных состояний, перекрытию волновых функций этих состояний и образованию зоны непрерывного спектра, соприкасающейся с зоной проводимости. [10]

Связи вблизи атома фосфора, введенного как примесь в кристалл кремния, становятся ионными, и происходит перемещение заряда к атому фосфора, компенсирующее избыточный заряд на ядре. [11]

При комнатной температуре примесные состояния оказываются пустыми, а соответствующие электроны свободно движутся по кристаллу. [12]

Удовлетворительной теоретической модели глубоких примесных состояний пока нет, и это затрудняет описание примесного поглощения с участием таких состояний. [13]

Волновые функции - мелких примесных состояний были получены Коном [374] на основе водородоподобной модели и приближения эффективной массы. [14]

Удовлетворительной теоретической модели глубоких примесных состояний пока нет, и это затрудняет описание примесного поглощения с участием таких состояний. [15]

Страницы: 1 2 3 4