Примесное состояние

Cтраница 3

Основные и воабуж-ность в окружающей примесный атом денные примесные состояния области кристалла. [31]

При достаточно высокой концентрации неглубоких центров волновые функции примесных состояний могут частично перекрываться. В этом случае за счет туннельных переходов электрон может перемещаться от одного примесного центра к другому, что при наличии внешнего Е приведет к прыжковой проводимости. [32]

Зависимость I, dljtiV и d2IjdVl от смещения У для кремниевого диода при 4 2 К. [33]

Если в процессе туннелирования электрон передает часть энергии локальному примесному состоянию, то открывается дополнит, канал для туннелирования. Включение туннелирования через примесное состояние увеличивает проводимость контакта при еУНя0, где ( On - энергия возбуждения примесного центра. На кривой li IjdV1 это отражают дополнит, пики. Форма линии при этом зависит от естеств. [34]

В рамках этого метода также рассмотрены экситоны Ванье и примесные состояния. [35]

Схема электронных переходов при фотопроводимости, связанной с междупримесными онтич. переходами. 1 - оптич. [36]

При достаточно высокой концентрации примесей, когда волновые ф-цни примесных состояний частично перекрываются, становятся возможными оптич. Если концентрация центров с менее глубоким уровнем велика, то носитель заряда, оказавшись после онтич. Для ее качеств, описания удобно воспользоваться энергетич. Если сверхпроводник и металл разделены тонкой диэлектрич. [37]

Образование свободных носителей заряда не должно быть связано с примесными состояниями. [38]

Для описания примесного оптического поглощения важно знать вид волновой функции примесного состояния, так как он определяет вероятность перехода электрона из одного состояния в другое ( например, с примесного уровня в зону проводимости) и влияет таким образом на коэффициент поглощения. [39]

Тогда можно считать, что в пределах г а волновая функция примесного состояния ведет себя как периодическая функция с периодом постоянной решетки, а за пределами эффективного боровского радиуса а она имеет согласно уравнению (8.83) очень малую амплитуду. [40]

Тогда можно считать, что в пределах г а волновая функция примесного состояния ведет себя как периодическая функция с периодом постоянной решетки, а за пределами эффективного воровского радиуса а она имеет согласно уравнению (8.36) очень малую амплитуду. [41]

Если примеси присутствуют в полупроводнике с непрямыми переходами, то так как примесные состояния обычно связаны с экстремумами зон, описанные выше переходы примесь - дальняя зона будут также непрямыми. Межзонная излучательная рекомбинация, как и межзонное поглощение, в непрямозонных полупроводниках могут идти в основном только при участии фононов. В непрямых переходах с участием примесей избыток или недостаток импульса может компенсироваться локальными колебаниями атома примеси, но может также компенсироваться и участием различных фононов решетки кристалла. Доля излучательных переходов в таких бесфононных переходах очень велика ( близка к 1), и было бы заманчиво использовать такие переходы, повышая концентрацию примесей, для получения интенсивного рекомбинационного излучения. Однако растворимость известных примесей с нужной энергией ионизации, к сожалению, довольно низкая. [42]

При таком механизме электропроводности процесс идет за счет туннелирования электрона из одного примесного состояния в другое вследствие перекрытия примесных волновых функций. [43]

Образование слабой связи на поверхности можно рассматривать как перенос электронов от ионизованного примесного состояния или к нему либо непосредственно, либо через стадию образования поверхностного состояния, результатом чего является локализация связи. [44]

Страницы: 1 2 3 4