Примесное состояние

Cтраница 2

По-видимому, образуется зона примесных состояний [33], внутри которой возможна проводимость. Проводимость становится двухзонным процессом, имеющим сложную зависимость от температуры. [16]

Рекомбинация идет в основном через примесные состояния, поэтому Nг в (7.3.2) описывает концентрацию соответствующих примесных цент-ров и дефектов решетки. На рис. 7.11, а показан характерный процесс рекомбинации через примесный уровень. [17]

Схема электронных переходов в оптическом поглощении. [18]

Если в примесном поглощении участвуют глубокие примесные состояния, то такие переходы будут давать вклад в поглощение за краем поглощения в более длинноволновой области спектра. [19]

ДЕ, - энергетическое положение примесного состояния, отсчитанное от потолка валентной зоны, а фэрму линии определяют два первых сомножителя: корневая зависимость и экспонента. [20]

Большой вклад в современную теорию примесных состояний внес В. Л. Бонч-Бруевич, решив методом функций Грина трехмерную задачу о хаотическом распределении примеси для предельно высоких концентраций. Было показано, что при высокой концентрации примеси плотность состояний отлична от нуля во всей запрещенной зоне. Вблизи уровня Ферми она мало отличается от функции плотности состояний идеального Ферми-газа, но в окрестности экстремальных точек разрешенных зон она изменяется существенно, быстро убывая с уменьшением энергии в глубь запрещенной зоны. [21]

Водородоподобное приближение дает адекватное описание примесных состояний, если орбиты носителей достаточно велики, так что они не затрагивают внешнюю электронную оболочку самого примесного иона По этой причине формулы (3.61) и (3.62) дают хорошее согласие между измеренными величинами эффективной массы и энергии ионизации только для мелких примесных состояний. Таким образом достигается хорошее согласие, например, в GaAs, где для доноров ED 0 007 эВ, чему соответствует а да 9 нм, а для акцепторов ЕА 0 04 эВ, чему соответствует а да 1 3 нм. [23]

Мы считаем, что ширина виртуальных примесных состояний сравнима с шириной валентной зоны, поскольку электронная структура примеси аналогична. Ферми - Дирака, а кинетическая энергия играет более за-меную роль в определении величины Еа - EVQ. [25]

Для нахождения функции распределения по примесным состояниям следует учесть, что система электронов или дырок на примесных состояниях - это система с переменным числом частиц. [26]

Крамер и Уоллес [1013] впервые исследовали связанные примесные состояния, приняв во внимание существование нескольких подзон. Авторы использовали довольно простые вариационные волновые функции и рассчитали связанные состояния, принадлежащие нижней и первым двум возбужденным подзонам, образованным парой нижних долин зоны проводимости на поверхности ( 100) Si. Оказалось, что энергия перехода между двумя связанными состояниями, принадлежащими двум нижним подзонам, превышает энергию перехода между подзонами в случае, когда примеси отсутствуют. Этот результат качественно согласуется с данными эксперимента [1175], согласно которым наличие ионов Na вблизи границы раздела Si - SiO2 обусловливает размытие линий межподзонных переходов и сдвигает их в сторону больших энергий. Отметим, однако, что экспериментально исследовалась система с большой концентрацией свободных носителей, тогда как в расчетах Крамера и Уоллеса экранирование примесей во внимание не принималось. [27]

Как уже говорилось, для описания мелких примесных состояний применяется водородоподобная модель и мы далее воспользуемся ею при анализе поглощения с участием этих примесных состояний. Удовлетворительной теоретической модели глубоких примесных состояний пока нет и это затрудняет описание примесного поглощения с участием таких состояний. [28]

Как уже говорилось, для описания мелких примесных состояний применяется водородоподобная модель, и мы далее воспользуемся ею при анализе поглощения с участием этих примесных состояний. [29]

Энергия ионизации акцепторов в кремнии и германии. [30]

Страницы: 1 2 3 4