Поверхностное состояние
Cтраница 2
Поверхностные состояния в схемах /, а и / /, а не учитываются. Потенциальный барьер контакта металла с окиснои пленкой р-типа ( схема /, а) является запирающим, а с окиснои пленкой n - типа ( схема / /, а) - антизапорным. [17]
Поверхностные состояния, соответствующие энергетическому уровню Es, считаются нейтральными, если они заняты электронами, и положительными, если не заняты электронами. [18]
Поверхностные состояния играют важную роль в хемосорб-ции водорода на полупроводниках, образуя двухэлектронную связь с помощью локализованного электрона и ls - электрона водорода. Поверхностное состояние мало влияет, однако, на адсорбцию водорода на металле. Это следует из рассмотрения влияния адсорбции водорода на электрическое сопротивление металлической пленки. Адсорбция водорода на чистую тонкую никелевую пленку ( толщиной 100 - 500 А), напыленную в сверхвысоком вакууме, увеличивает ее сопротивление при возрастании степени покрытия 0 от 0 до 0 35, а затем уменьшает его при дальнейшем росте покрытия вплоть до 0 70 [31-35], как видно на фиг. Если поверхностное состояние захватывает электрон проводимости, то и в этом случае возникает двухэлектронная связь с участием ls - электрона атома водорода. Однако из упоминавшихся выше надежных экспериментальных данных [35] об изменении сопротивления в области 0 от 0 до 0 35 вытекает, что число электронов проводимости убывает до 2 или 3 на каждый адсорбированный атом ( фиг. Это противоречит предположению о захвате поверхностным состоянием одного электрона проводимости на адсорбированный атом. [19]
 |
Схема поверхностного слоя германия ( поверхность не пассивирована. [20] |
Поверхностные состояния - есть дополнительные энергетические состояния, которые появляются на поверхности реального полупроводника благодаря химическим примесям в кристалле или дефектам кристаллической решетки. [21]
Поверхностные состояния полупроводника в значительной степени ослабляют влияние эффекта поля, так как часть свободных носителей захватывается поверхностными уровнями и образует поверхностный заряд. Этот згфяд уменьшает воздействие внешнего электрического поля и эффект поля. [22]
 |
Потенциалы ионизации электронных оболочек в атоме угле-рола. [23] |
Поверхностное состояние атомов в ковалентных кристаллах F43m исследуется с помощью дифракции медленных электронов, а также нуклонов. Сверхструктурный эффект имеет высокомолекулярную природу и связан с переходом значительного числа поверхностных ст-радикалов в делокали-зованные я-состояния. Не испытавшая фазового поверхностного перехода часть ст-радикалов стабилизируется за счет образования различных двух-мерноупорядоченных конфигураций. [24]
Особые поверхностные состояния появляются благодаря хемо-сорбции. Их называют индуцированными поверхностными состояниями. Задачу определения этих состояний решают уже знакомым нам путем. [25]
Рассмотренные поверхностные состояния возникают на идеально чистой бездефектной поверхности, получить которую практически невозможно. В реальных условиях поверхностные свойства полупроводников определяются поверхностными состояниями, созданными главным образом чужеродными атомами ( молекулами) на поверхности. На рис. 8.26, в показана зонная структура полупроводника. Вертикальной прямой ВС обозначена одна из свободных его поверхностей. При такой сорбции волновые функции решетки и частицы перекрываются настолько, что частицу можно рассматривать как примесь, локально нарушающую периодичность потенциала решетки и приводящую к возникновению в запрещенной зоне поверхностного уровня. [26]
 |
Зависимость подвижно - когда число поверхностных состоя-сти электронов в инверсном слое ий полупроводнике настолько на поверхности кремния р-тнпа от j r. [27] |
Оставшиеся незаполненные поверхностные состояния захватывают электроны из валентной зоны, образуя дырки в приповерхностном слое. При этом ф5 и Фь становятся противоположными по знаку. [28]
Если поверхностные состояния способны захватывать дырки, то в результате энергия электрона, соответствующая краю зоны, понизится. Для объяснения эффектов, обнаруженных при экспозиции поверхности в различного рода газовых средах, необходимо учитывать захват и электронов и дырок. [29]
Некоторые поверхностные состояния создают вблизи середины запрещенной зоны энергетические уровни, которые являются уровнями рекомбинационных ловушек. Рекомбинационными ловушками могут быть только быстрые поверхностные состояния, так как время перехода носителей на медленные поверхностные состояния очень велико. [30]
Страницы: 1 2 3 4