Поверхностное состояние
Cтраница 3
Наблюдаемые поверхностные состояния считаются собственными при высоком качестве обработки поверхности, когда можно полагать, что все причины образования несобственных состояний устранены. Ферми на поверхности ( 100) GaAs вблизи середины запрещенной зоны под влиянием собственных состояний не всегда справедливо. Это явление может быть вызвано, скорее всего, внешними факторами, а не собственными свойствами поверхности. [31]
Некоторые поверхностные состояния создают вблизи середины запрещенной зоны энергетические уровни, которые являются уровнями рекомбинационных ловушек. Рекомбинационными ловушками могут быть только быстрые поверхностные состояния, так как время перехода носителей на медленные поверхностные состояния очень велико. [32]
Эти поверхностные состояния могут проявиться в неравновесных процессах, например в оптическом поглощении. [33]
Если поверхностные состояния обладают большим временем релаксации ( как это, по-видимому, имеет место при высокой плотности таких состояний на германии [42], например - 1 сек), то измерения емкости при высоких частотах будут приводить к результатам, сильно отличающимся от тех, которые получаются при низких частотах. Переменноточный сигнал должен обладать малой амплитудой ( 5 мв или меньше), так как емкость пространственного заряда изменяется весьма нелинейно в зависимости от приложенного потенциала. В идеальном случае, когда временные постоянные поверхностных состояний будут совсем превышать частоту переменноточного сигнала, измеряемая емкость будет очень сильно зависеть от области пространственного заряда, поскольку поверхностные состояния не могут реагировать теперь на переменноточный сигнал. [34]
Если поверхностные состояния обладают большим временем релаксации ( как это, по-видимому, имеет место при высокой плотности таких состояний на германии [42], например - 1 сек ], то измерения емкости при высоких частотах будут приводить к результатам, сильно отличающимся от тех, которые получаются при низких частотах. Переменноточный сигнал должен обладать малой амплитудой ( 5 мв или меньше), так как емкость пространственного заряда изменяется весьма нелинейно в зависимости от приложенного потенциала. В идеальном случае, когда временные постоянные поверхностных состояний будут совсем превышать частоту переменноточного сигнала, измеряемая емкость будет очень сильно зависеть от области пространственного заряда, поскольку поверхностные состояния не могут реагировать теперь на переменноточный сигнал. [35]
Если поверхностные состояния заполняются свободными носителями заряда, то между поверхностью и объемом возникает электрическое поле, локализованное в приповерхностном слое, свойства которого меняются таким же образом, как и в результате действия внешнего электрического поля. [36]
Если поверхностные состояния заполняются свободными носителями заряда, то между поверхностью и объемом возникает электрическое поле, локализованное в приповерхностном слое, свойства которого меняются таким же образом, как и в результате действия внешнего электрического поля. [37]
Такие поверхностные состояния возникают на поверхности кристалла и определяют систему энергетических уровней, возникающих в запрещенной зоне и обусловленных поверхностными дефектами. Происхождение этих уровней может быть различным. Как известно из зонной теории, в идеальном, но ограниченном кристалле вследствие нарушения условия периодичности кристаллической решетки на поверхности возникают уровни, лежащие в запрещенной зоне. [38]
 |
Энергетическая диаграмма гетероперехода. [39] |
Такие поверхностные состояния возникают на поверхности кристалла и определяют систему энергетических уровней, возникающих в запрещенной зоне и обусловленных поверхностными дефектами. Происхождение этих уровней может быть различным. [40]
Такие поверхностные состояния возникают на поверхности кристалла и определяют систему энергетических уровней, возникающих в запрещенной зоне и обусловленных поверхностными дефектами. Происхождение этих уровней может быть различным. Как известно из зонной теории, в идеальном, но ограниченном кристалле вследствие нарушения условия периодичности кристаллической решетки на поверхности возникают уровни, лежащие в запрещенной зоне. [41]
Это поверхностное состояние, напряжение травления, создается предположительно во время снятия поверхностного слоя химическим или электролитическим способом при определенной концентрации кислоты. Величина напряжения травления зависит от материала, от его термообработки ( тонко - или грубозернистая структура), а при электролитической полировке - также от плотности тока, и не зависит от вида применяемой кислоты. Имеются различные гипотезы, объясняющие возникновение напряжения при травлении. Точка зрения, которая основана на том, что при термообработке загрязнения и примеси выделяются дисперсно на границах зерен и мозаики и что вследствие сильного взаимодействия с реактивом в этих зонах напряжения травления должны сниматься, является самой достоверной. Это подтверждается тем, что у электролитического железа не обнаруживается никаких изменений постоянной решетки. В результате возможного наложения внутренних напряжений и напряжения травления усложняется определение фактического напряженного состояния. [42]
 |
Типичные хар-ки дрейфа обратного тока.| Вид хар-к токового дрейфа ( 3.| Вид хар-к температурного дрейфа р. [43] |
Образующиеся локальные поверхностные состояния в зависимости от способа обработки поверхности и условий внешней среды могут быть как донориого, так и акцепторного типов ( см. Донор, Акцептор), а энергетич. НП с оксидным слоем, плотность к-рых в германии составляет 1010 - 10й см-г. На внешней стороне оксидного слоя и в его объеме расположены локальные уровни, отделенные нек-рым слоем диэлектрика от тела ПП. Вероятность переходов на такой уровень и обратно мала. [44]
 |
Вид хар-к токового дрейфа ( 3. [45] |
Страницы: 1 2 3 4