Поверхностное состояние

Cтраница 4

Образующиеся локальные поверхностные состояния в зависимости от способа обработки поверхности и условий внешней среды могут быть как донорного, так и акцепторного типов ( см. Донор, Акцептор), а энергетич. На внешней стороне оксидного слоя и в его объеме расположены локальные уровни, отделенные пек-рым слоем диэлектрика от тела ПП. Вероятность переходов на такой уровень и обратно мала. [46]

Плотность поверхностных состояний весьма велика ( 1013 см-2) и чувствительна к изменениям окружающей среды. Их плотность соответственно равна 10й и 1013 см-2. Быстрые состояния характеризуются временем захвата носителей тока не более нескольких микросекунд, медленные - от миллисекунд до нескольких часов. Быстрые состояния находятся на границе раздела между объемом полупроводника и окисным слоем, покрывающим его поверхность. Их плотность зависит от характера обработки поверхности, а не от состава окружающей среды. Медленные состояния расположены внутри окисного слоя или на его поверхности и зависят от структуры окисного слоя и состава окружающей среды. [47]

Потенциальный барьер, обусловленный поверхностными состояниями. [48]

Существование поверхностных состояний и пространственного заряда получило экспериментальное подтверждение в работах Бардина и его сотрудников, посвященных исследованию границы раздела германий - газ и германий-металл. [49]

Зонная диаграмма поверхности электронного полупроводника с акцепторными поверхностными состояниями ( а и распределение заряда на поверхности ( б. [50]

Существование поверхностных состояний предсказал Тамм и экспериментально подтвердили Шокли, Бардин и Браттэйн. [51]

Плотность поверхностных состояний на кремнии обычно бывает несколько выше ( иногда на порядок), чем на германии. [52]

Емкость поверхностных состояний, несомненно, зависит от частоты. [53]

Параметры, описывающие энергетическую зонную структуру при поверхностной области полупроводника р-типа. [54]

Зоны поверхностных состояний в полупроводниках и диэлектриках могут попадать в энергетическую щель, частично или в значительной степени перекрываться с разрешенными зонами объемных состояний. Поверхностные состояния, так же как и примесные, можно подразделять на акцеп-тороподобные и донороподобные. По условию, акцептороподобные состояния нейтральны, если они свободны, и отрицательно заряжены, если заполнены. Донороподобные состояния заряжены положительно, когда пусты, и нейтральны, когда заполнены. [55]

Плотность поверхностных состояний вообще и поверхностных состояний, являющихся рекомбинационными ловушками, в частности, зависит от обработки поверхности полупроводника и от свойств внешней среды, с которой он соприкасается. Так как плотность поверхностных состояний обычно велика, то рекомбинация носителей на поверхности идет значительно быстрее ( интенсивнее), чем в объеме полупроводника. [56]

Энергетическая диаграмма полупроводника с окисной пленкой. [57]

Число поверхностных состояний с учетом спина электрона равняется удвоенному числу атомов, находящихся на поверхности. [58]

Страницы: 1 2 3 4