Спад - фотопроводимость
Cтраница 1
Спад фотопроводимости имеет три хорошо выраженные ступени; первая но времени относится к рекомбинации электронов в зоне проводимости, вторая-к освобождению мелких ловушек, третья-к освобождению глубоких ловушек. [1]
Спад фотопроводимости во времевл в присутствии ловушек. [2]
Постоянные спада фотопроводимости при комнатной температуре в GaAs обычно больше 10 мксек. Эти значения ранее ошибочно интерпретировались как времена жизни неосновных носителей. Захват неосновных носителей ловушками в этом материале играет весьма существенную роль, и истинное значение времени жизни можно получить из фотоэлектрических данных только после тщательного анализа. Эксперименты к тому же показывают, что время жизни неосновных носителей в низкоомном GaAs может быть исключительно малым. В некоторых образцах только одна миллионная часть возбужденных неосновных носителей свободна, и в результате время жизни основных носителей может измеряться многими микросекундами. [3]
Гиперболический характер спада фотопроводимости указывает на бимолекулярный характер рекомбинации носителей в темноте. Та же закономерность была найдена и для далеких ( 10 сек. [4]
Значительно сложнее проанализировать спад фотопроводимости, когда генерация носителей заряда происходит в течение некоторого времени, так как начальное распределение носителей заряда не является однородным. Если же генерация происходит с постоянной скоростью в течение длительного времени, то в образце устанавливается стационарное распределение носителей заряда и задача упрощается. [5]
В таких условиях из спада кривой фотопроводимости непосредственно получается кажущееся время жизни неосновных носителей. При - 80 С и ниже в электронном германии постоянная времени перестает уменьшаться и, более того, начинает расти при охлаждении. При этом дополнительное освещение образца уменьшает время спада, точно так же как и при изменении подвижности дополнительная подсветка приводила к уничтожению разброса. Оказалось, что оно монотонно уменьшается с температурой, приближаясь к некоторому постоянному предельному значению, в соответствии с тем, что дает теория [6] для температурной зависимости времени рекомбинации. [6]
Рассмотрим кратко особенности релаксационной кривой спада фотопроводимости. [7]
 |
Экситонные состояния Д / г Д / г0 е - / т. [8] |
Легко показать, что касательная, проведенная к кривой спада фотопроводимости Стф ( t) в точке t0, отсекает на оси времени отрезок, численно равный т - времени жизни избыточных носителей. [9]
 |
Кривые нарастания и спада фототока в случае линейной рекомбинации при импульсном освещении образца. [10] |
На рис. 10.1 видно, что времена нарастания и спада фотопроводимости одинаковы. [11]
 |
Теоретические кривые с S-образным нарастанием. [12] |
Формулы (33.5) и (33.6) дают форму релаксационных кривых нарастания и спада фотопроводимости при нелинейном многократном прилипании с точностью до самого начального скачка ( рис. 94), часто не обнаруживаемого на опыте. Заметим, что условие многократности прилипания будет выполняться при любых интенсивностях возбуждения, если вначале выполняется достаточно сильное неравенство 0 тл и температура не очень низка. [13]
На нескольких легированных кобальтом высокоомных образцах п - и р-тппа были выполнены измерения спада фотопроводимости при 77 К. [14]
Из (12.18) видно, что чем больше время жизни избыточных носителей, тем медленнее происходит спад фотопроводимости, следова-вательно, тем более инерционным будет фотоприемник излучения. [15]
Страницы: 1 2 3 4