Спад - фотопроводимость
Cтраница 2
Нижняя часть соответствует отсутствию подсветки; электроны попадают на уровни прилипания, это определяет характер спада фотопроводимости. [16]
Как видно из рис. 1.27, в области малых длин волн ( левая часть рисунка) наблюдается спад фотопроводимости. Это объясняется быстрым увеличением коэффициента поглощения с частотой и уменьшением глубины проникновения падающей на тело электромагнитной энергии. Поглощение происходит в тонком поверхностном слое, где и образуется основное количество носителей заряда. Появление большого количества избыточных носителей заряда только у поверхности слабо отражается на проводимости всего объема полупроводника, потому что скорость поверхностной рекомбинации больше, чем объемной, а также потому, что проникающие внутрь неосновные носители заряда увеличивают скорость рекомбинации в объеме полупроводника. [17]
Первый вид а-ловушки в материале с удельным сопротивлепием25 ом-см ( при комнатной температуре) характеризуются постоянной времени спада фотопроводимости 45 мсек. [18]
 |
Зависимость фотопроводимости полупр-тод-ников от интенсивности облучения. [19] |
Как видно из рис. 8 - 7, в области малых длин волн ( левее максимума кривой) наблюдается спад фотопроводимости. Это объясняется быстрым увеличением коэффициента поглощения с ростом частоты и уменьшением глубины проникновения падающей на тело электромагнитной энергии. Поглощение происходит в гонком поверхностном слое, где и образуется основное количество носителей заряда. Появление большого числа избыточных носителей заряда только у поверхности слабо отражается на проводимости всего объема полупроводника, потому что скорость поверхностной рекомбинации больше, чем объемной, и проникающие внутрь неосновные носители заряда увеличивают скорость рекомбинации в объеме полупроводника. [20]
 |
Зависимость фотопроводимости полупроводников от интенсивности облучения. [21] |
Как видно из рис. 8 - 7, в области малых длин волн ( левее максимума кривой) наблюдается спад фотопроводимости. Это объясняется быстрым увеличением коэффициента поглощения с ростом частоты и уменьшением глубины проникновения падающей на тело электромагнитной энергии. Поглощение происходит в тонком поверхностном слое, где и образуется основное количество носителей заряда. Появление большого числа избыточных носителей заряда только у поверхности слабо отражается на проводимости всего объема полупроводника, потому что скорость поверхностной рекомбинации больше, чем объемной, и проникающие внутрь неосновные носители заряда увеличивают скорость рекомбинации в объеме полупроводника. [22]
Исследование спектральной зависимости фотопроводимости и ее изменение при изменении температуры и дополнительной подсветки, а также исследование нарастания и спада фотопроводимости представляют собой мощный инструмент исследования структуры энергетических зон полупроводника, энергетического положения глубоких и мелких примесных состояний, сечения их фотоионизации и сечений захвата ими носителей заряда, времени жизни носителей заряда и идентификации примесей в полупроводниках. [23]
 |
Определение диффузионной длины I. [24] |
Еще одним методом, который получил достаточно широкое распространение для измерения тн.н. 3 в монокристаллическом кремнии, является метод спада фотопроводимости. Образец помещают в высокочастотное поле, создаваемое з ограниченном пространстве специальным резонатором. В области локализации радиочастотного поля проводится возбуждение н.н.з. путем освещения монокристалла импульсами света. Инжектированные светом н.н.з. релаксируют к своему равновесному значению. Время их жизни определяется как время, в течение которого сигнал фотопроводимости падает от некоторого начального значения в е раз. [25]
 |
Спектральные характеристики фоторезисторов. [26] |
В промышленных образцах фоторезисторов используются поликристаллические структуры специально подбираемых полупроводниковых материалов, в которых возникают медленные вторичные процессы, затормаживающие спад фотопроводимости, что позволяет во много раз увеличить чувствительность фоторезисторов. При этом инерционность фотоэффекта описывается постоянной времени фототока, которая может во много раз превышать время жизни. [27]
Другое требование, связанное с высоким температурным коэффициентом сопротивления кремния, состоит в условии строгого постоянства температуры образца в течение спада фотопроводимости. Оба эти требования удовлетворялись при помещении образцов в концентрические светонепроницаемые коробки, между стенками которых была помещена теплоизоляционная прокладка. [28]
Кинетика фотопроводимости для двух пленок р - РЬТе представлена на рис. 3.18. Обращают на себя внимание медленные процессы нарастания и спада фотопроводимости, а также остаточная проводимость после выключения света. Изменения во времени других коэффициентов ( и, a, Q) имеют тот же характер, что и изменения а. В то же время степень влияния света на разные эффекты неодинакова и зависит от уровня легирования. В подобных объектах наблюдается также су - щественная разница влияния света на а и и. В них отсутствует заметная компенсация электрически активных примесей; по способу изготовления в них трудно ожидать крупномасштабных флюктуации состава. Что касается слоистых неоднородности ( см. разд. [29]
Кинетика фотопроводимости для двух пленок р - РЬТе представлена на рис. 3.18. Обращают на себя внимание медленные процессы нарастания и спада фотопроводимости, а также остаточная проводимость после выключения света. Изменения во времени других коэффициентов ( R a Q) имеют тот же характер, что и изменения а. В то же время степень влияния света на разные эффекты неодинакова и зависит от уровня легирования. Наиболее чувствительны к подсветке в пленках с р 1019 см-3 коэффициенты а и Q. В подобных объектах наблюдается также су щественная разница влияния света на а и R. В них отсутствует заметная компенсация электрически активных примесей; по способу изготовления в них трудно ожидать крупномасштабных флюктуации состава. Что касается слоистых неоднородностей ( см. разд. [30]
Страницы: 1 2 3 4