Спад - фотопроводимость
Cтраница 3
После шлифовки образцов и припайки омических контактов образцы травились в перекиси водорода ( марки 04) и промывались в горячей ( 80 С) дистиллированной воде, после чего производились измерения скорости поверхностной рекомбинации по спаду фотопроводимости. [31]
Так, например, для германия граничная длина волны составляет примерно 1 8 мкм. Однако спад фотопроводимости наблюдается и в области малых длин волн. Это объясняется быстрым увеличением поглощения энергии с частотой и уменьшением глубины проникновения падающей на полупроводник электромагнитной энергии. Поглощение происходит в тонком поверхностном слое, где и образуется основное количество носителей заряда. Появление большого количества избыточных носителей только у поверхности слабо отражается на проводимости всего объема полупроводника, потому что скорость поверхностной рекомбинации больше объемной, а также потому, что проникающие вглубь неосновные носители заряда увеличивают скорость рекомбинации в объеме полупроводника. [32]
Недавние исследования постоянной времени фотопроводимости в высокоомных кристаллах с примесью железа, выполненные с использованием светофильтров, показывают, что опубликованные большие значения постоянной времени [2] отчасти могут быть обусловлены поверхностными явлениями. Ведется изучение спада фотопроводимости в высокоомных кристаллах герм: ания, легированных железом, кобальтом и никелем. [33]
 |
Кинетика нарастания фотопроводимости при облучении полупроводника светом и спада фотопроводимости после прекращения облучения. [34] |
Касательная, проведенная к этой кривой в точке t t0, отсекает на оси времени отрезок, равный тп. Это позволяет по спаду фотопроводимости, как и по ее нарастанию, определять время жизни неосновных носителей. [35]
Но их методика, использующая спад кривой фотопроводимости материала, не позволяла выявить объемные ловушки для основных носителей, ибо концентрация таких ловушек имеет один порядок с концентрацией примеси, определяющей тип проводимости. Конечно, существует разброс в концентрации ловушек вследствие неравномерного распределения кислорода в образце кремния. Поэтому на некоторых приборах из исследуемой партии дрейфа Га Ск и Сэ не было обнаружено. [36]
Ширина запрещенной зоны З.м. составляет - 1 5 эв. В области 0 6 мк наблюдается сильный спад фотопроводимости, максимум к-рой находится также в области 0 8 мк. [37]
Уровни прилипания ( как для электронов, так и для дырок) проявляются в увеличении проводимости за счет добавления основных носителей тока, которые точно нейтрализуют пространственный заряд, появляющийся в связи с захватом неосновных носителей. Однако в отличие от дырочного кремния в электронных образцах ловушки дают спад фотопроводимости, очень близкий к чисто экспоненциальному. Отсутствие многократного захвата означает, что электронные образцы кремния проще изучать, чем дырочные. Главным образом поэтому нами были проведены обширные исследования температурной зависимости параметров ловушек в электронных образцах кремния. [38]
Все сказанное об измерении поверхностной проводимости в равной мере относится и к другим методам, в которых вдоль поверхности раздела полупроводник - электролит прикладывается электрическое поле. Здесь прежде всего нужно назвать измерение эффективного времени жизни неосновных носителей по спаду фотопроводимости ( при инжекции неосновных носителей импульсами тока или света) или по величине стационарной фотопроводимости. При всех измерениях подобного рода следует контролировать отсутствие утечки измерительного тока в раствор, пользуясь для оценок вольт-амперной кривой или величиной импеданса электрода. [39]
Результаты измерений на GaAs [35] также представляются ошибочными. Наиболее пригодными для соединений III - V оказались методы, при которых измеряется спад фотопроводимости или сочетается измерение стационарной фотопроводимости ( ФП) и фотоэлектромагнитного ( ФЭМ) эффекта. В отсутствие захвата ловушками спад фотопроводимости позволяет достаточно удовлетворительно измерять времена жизни, большие 10 - 8 сек. Из таких измерений полные сведения о поведении носителей обоих типов обычно получить нельзя. ФЭМ - ФП-метод можно использовать для измерения столь малых времен жизни, как 10 - 13 сек, и его можно видоизменить так, чтобы получить сведения о поведении носителей обоих типов в случае, когда захват ловушками играет существенную роль. Величина ФП-эффекта пропорциональна эффективному времени жизни тфп, а величина ФЭМ-эффекта пропорциональна квадратному корню из эффективного времени жизни тфэм, не равного тфп. [40]
Термообработка может привести к увеличению времени жизни на несколько порядков, и таким путем были получены значения t вплоть до 10 - 5 сек. Времена жизни, превышающие 10 - 6 сек, были найдены также методом спада фотопроводимости, и хорошее соответствие между двумя методами указывает на то, что захват ловушками не играет существенной роли. Причины, по которым термообработка увеличивает время жизни в InAs, до сих пор не выяснены. Возможно, что она также влияет и на фотоэффекты. [41]
 |
Структурная схема управления электролюминесцентной матричной панелью. [42] |
Недостаток таких панелей - сложность технологии изготовления и невысокое быстродействие, связанное с инерционностью высокочувствительных фотопроводников. Лучшие из них, выполненные на основе сернистого и селенистого кадмия, имеют время нарастания и спада фотопроводимости от единиц до десятков миллисекунд. [43]
Это особенно печально ввиду того, что многие изучавшиеся кинетические свойства, например время нарастания и спада фотопроводимости, в значительной степени связаны с агрегатным состоянием вещества. Неравномерное распределение носителей зарядов, граничные слои и поверхности - все это заслоняет некоторые характерные для данного вещества электронные свойства. [44]
При длинах волн, больших граничной, фотопроводимость резко падает. Так, для германия граничная длина волны составляет примерно 1 8 мкм. Однако спад фотопроводимости наблюдается и в области малых длин волн. Это объясняется быстрым увеличением поглощения энергии с частотой и уменьшением глубины проникновения падающей на полупроводник электромагнитной энергии. Поглощение происходит в тонком поверхностном слое, где и образуется основное количество носителей заряда Появление большого количества избыточных носителей ТОЛЬКО у Поверхности слабо отражается на проводимости всего объема полупроводника, так как скорость поверхностной рекомбинации больше объемной и проникающие вглубь неосновные носители заряда увеличивают скорость рекомбинации в объеме полупроводника. [45]
Страницы: 1 2 3 4