Спектр - фотолюминесценция
Cтраница 3
 |
Термическое высвечивание в видимой области фосфора NaCl 0 003 мол. % РЬС12. [31] |
Измерения действительно показывают, что спектральный состав свечения в пике при - 130 С в ультрафиолетовой области идентичен со спектром фотолюминесценции фосфора NaCl - Ag и состоит из одной полосы с максимумом около 2500 А. [32]
Для выяснения природы излучательной рекомбинации в CdP2 основное внимание уделено изучению температурной зависимости спектрального распределения катодолюминесценции и установлению связи между спектрами фотолюминесценции и катодолюминесценции. [33]
 |
Спектры фотолюминесценции GaSe при атмосферном давлении ( 7 и 17 кбар ( 2.| Зависимость уширения спектра фотолюминесценции GaSe. [34] |
При воздействиях ударной волны на материал ( в нашем случае на полупроводник) происходит увеличение температуры Тх, что вызывает уширение спектра фотолюминесценции и сдвиг положения его максимума. [35]
Спектры ХЛ представляют собой одиночные широкие бесструктурные полосы; в присутствии активаторов ХЛ ( производные антрацена, хе-латы редких земель) они совпадают со спектрами фотолюминесценции активаторов, что указывает на возбуждение активаторов ХЛ в результате переноса энергии. [36]
 |
Температурная зависимость относительной интенсивности фотолюминесценции монокристалла GaAs ( за единицу принята интенсивность при 25 С. [37] |
Вероятно, для небольших температурных изменений ( lO - j - 30 C) точность определения температуры прямозонных полупроводниковых кристаллов по фотолюминесценции можно увеличить еще на l - j - 2 порядка, если регистрировать не положение максимума, а интенсивность излучения / на фиксированной длине волны, лежащей в областях энергий hi Е или hi / Eg наибольшей крутизны спектра фотолюминесценции, где велика производная dl / d9, определяющая температурную чувствительность сигнала. [38]
Как указывалось выше, фотолюминесценция возбуждается при помощи внешнего источника видимого или ультрафиолетового излучения. Спектры фотолюминесценции в зависимости от вещества люминофора и внешних условий могут быть линейчатыми, полосатыми и сплошными. Связь между спектром поглощения люминофора и спектром фотолюминесценции определяется правилом Стокса ( законом Стокса), которое утверждает, что длина волны фотолюминесценции больше, чем длина волны возбуждающего света. [39]
 |
Температурные зависимости коэффициентов самодиффузии 14С и 30Si в кристаллах чистого ( кривые /, 4 и легированного азотом ( кривые 2, 3 карбида кремния. [40] |
Эффективная фотолюминесценция карбида кремния при комнатной температуре достигается при легировании кристаллов такими примесями, как бор, бериллий, скандий. Спектры фотолюминесценции различных политипов карбида кремния, легированных указанными выше примесями, подобны по форме и смещены относительно друг друга в соответствии с различиями в ширине запрещенной зоны этих политипов. [41]
 |
Температурные зависимости коэффициентов диффузии ряда примесей в карбиде кремния. [42] |
К соответствует энергиям фотонов, на 0 88 - 0 95 эВ меньшим экситонной ширины запрещенной зоны карбида кремния. Спектры фотолюминесценции различных политипов карбида кремния, легированных бором, подобны по форме и смещены относительно друг друга в соответствии с различиями в ширине запрещенной зоны этих политипов. Максимум эффективности фотолюминесценции находится при температуре 250 К. [43]
 |
Спектр фотолюмннисцен-ции CdS. /. - бесфононная линия связанного экситона. [44] |
Линии экситонно-примесных комплексов часто имеют фонон-ные повторения в спектре излучения, связанные с участием фоно-нов или их комбинаций в излучательном переходе электронов. На рис. 129 показан спектр фотолюминесценции CdS при температуре 1 6 К, на котором хорошо различима узкая линия / х связанного экситона и ее различные фононные повторения, связанные с LO -, ТО -, ТА-фононами и их комбинацией LO-ТА. [45]
Страницы: 1 2 3 4