Спираль - рост
Cтраница 2
 |
Рост кристалла, содержащего винтовую дислокацию. [16] |
Винтовые дислокации ведут к образованию на поверхности кристалла спиралей роста высотой от одного до - нескольких тысяч атомов. [17]
Баккли [182] нашел, что ширина и глубина некоторых спиралей роста и им подобных образований на гранях [0001] a - SiC имеют порядок до нескольких тысяч размеров элементарной ячейки. Такие образования, по Баккли, могут происходить также и вследствие скручивания элементарных слоев при росте кристаллов карборунда. [18]
Солнца solar [ Sun ] rotation спиновое - spin rotation - спирали роста кристп. [19]
По Ферма, на кристаллах a - SiC наблюдаются три типа спиралей роста: 1) элементарные, с шагом, приблизительно равным размеру элементарной ячейки; 2) происходящие из-за нарушений ( дислокаций) увеличивающейся силы, шаг которых равен кратному размеру элементарной ячейки; 3) переплетающиеся спирали, высота ступеней которых равна дробной части размера элементарной ячейки. [20]
На рис. 5.35 показано, как такие винтовые дислокации приводят к появлению спиралей роста в полиоксиэтилене ( см. также разд. [22]
Следовательно, необходимо предположить, что грань большого кристалла способна расти за счет единичной спирали роста, которая, в свою очередь, должна быть способна обеспечить одинаковую скорость роста вдоль всей грани. Кажется сомнительным, чтобы экспериментальные данные подтверждали идею о том, что грани больших кристаллов обычно растут посредством единичной спирали роста. [23]
Более того, необходимо более внимательно разобраться в скоростях роста разных участков грани, обслуживаемой единичной спиралью роста. [24]
Так, например, М. Н. Козловский [369] показал экспериментально, что при переходе от роста к растворению бывшая спираль роста начинает стягиваться к центру и как бы вращаться в противоположную сторону. Одновременно в центре спирали возникает спираль растворения. При растворении кристаллов зависимость скорости растворения слоев от их высоты имеет тот же характер, что и при росте. Однако при одинаковых АГ скорости растворения значительно больше скоростей роста. [25]
Из акцессориев роста, образующих положительный рельеф на гранях куба и октаэдра кристаллов синтетического алмаза, присутствуют спирали роста и дендриты. [27]
На некоторых гранях кристаллов a - SiC наблюдаются ориентированные сверхсростки ( например, в виде правильных пирамид) возле спиралей роста, которые получаются в процессе производства карборунда. В центрах некоторых спиралей наблюдаются гексагональные пятна, пустоты и другие виды нарушений нормальной структуры. Богато иллюстрированное экспериментальное исследование Верма подтверждает ранее высказанные предположения о причинах политипизма a - SiC, заключающихся в нарушениях роста кристаллов. [28]
Можно выделить три типа плоских спиралей ( раскручивающуюся, Архимеда и роста), из которых для наших целей самой важной является спираль роста. Остановимся кратко на двух других типах спиралей: 1) раскручивающаяся спираль, 2) спираль Архимеда. Когда мы разматываем нить с катушки, держа ее все время натянутой, то конец нити описывает спираль. Читатель, используя рис. 3.1, легко сможет представить именно тот случай, о котором мы говорим. [29]
 |
Рост грани кристалла, содержащей выход винтовой дислокации. [30] |
Страницы: 1 2 3 4