Спираль - рост
Cтраница 3
Частицы питающей фазы, попадающие на поверхность кристалла, прилагаются к таким центрам, от которых по поверхности кристалла распространяются новые слои или спирали роста. [31]
Микроскопические пирамидальные наросты на гранях, образованные плоскими гранками, близкими по положению к гране-хозяйке, называют вициналями ( соседями), их форма разнообразна, иногда это спирали роста, особенно хорошо выраженные на искусственных кристаллах. Все несовершенства граней кристаллов повторяются для одного и того же минерала или по крайней мере для одного какого-нибудь месторождения, так что это не только характерный признак минерала, но и признак его месторождения. [32]
По данным той же работы [8], при прочих равных условиях большие ямки травления характеризуют винтовые дислокации, а меньшие - линейные, причем размер ямки травления, соответствующей винтовой дислокации, зависит также от величины шага спирали роста. Для одного и того же времени травления размер ямки травления растет с увеличением вектора Бюргерса. Ямки же, соответствующие линейным дислокациям, как правило, одинаковы по размерам. [33]
Чтобы объяснить экспериментально наблюдаемое исчезновение металла вблизи поверхности раздела металл - окисел ( или сульфид), Барре, Коулсон и Ламбертен [26] предположили, что одновременно с ростом пор и полостей за счет стока вакансий происходит внутреннее рассасывание металла, когда все вакансии уже удалены за счет переползания краевой дислокации по спирали роста. Бардин и Херринг [27] рассчитали движущую силу, обусловливающую движение краевых дислокаций при заданном пересыщении по вакансиям. [34]
Поскольку расстояние между изломами ступенек при их определенных ориентациях может превосходить xt, то распространение ступенек будет замедлено и получится многоугольная спираль. Многие реальные спирали роста, найденные в кристаллах, являются многоугольными спиралями, а не плавно изогнутыми, показывая тем самым, что величина скорости распространения ступеньки действительно зависит в какой-то степени от ее ориентации. [35]
Вундерлих и др. [130] показали, что эта температура плавления мож ( быть определена с помощью светового микроскопа при быстром нагреве, который позволяет избежать предварительных эффектов отжи га ( см. также гл. Типичный ламелярный кристалл ( спираль роста) с длиной складки от 130 до 150 А плавится при температурах 117 4 - 122 8 С, если его нагревание происходит со скоростью большей, чем 25 град / мин. РОЭ и др. [105] путем сравнения температур плавления кристаллов, представленных на рис. 7.14, и кристаллов, сшитых радиационным методом, в которы отжиг существенно замедлен, показали, что температура плавления исходных необлученных образцов равна 125 С. [36]
В растущем кристалле всегда имеются дислокации. Винтовые дислокации ведут к образованию на поверхности кристалла спиралей роста высотой от одного до нескольких тысяч атомов. Спиральный рост экспериментально обнаружен при изучении роста монокристаллов магния, кадмия, серебра и других металлов. [38]
В растущем кристалле всегда имеются дислокации. Винтовые дислокации ведут к образовзнию на поверхности кристалла спиралей роста высотой от одного до нескольких тысяч атомов. Спиральный рост экспериментально обнаружен при изучении роста монокристаллов магния, кадмия, серебра и других металлов. [39]
 |
Схема роста грани кристалла при образовании двумерного зародыша ( а и вокруг винтовой дислокации ( б. [40] |
В растущем кристалле всегда имеются дислокации. Винтовые дислокации ведут к образованию на поверхности кристалла спиралей роста высотой от одного до нескольких тысяч атомов. Спиральный рост экспериментально обнаружен при изучении роста монокристаллов магния, кадмия, серебра и других металлов. В этом случае образование двумерного зародыша не требуется. [41]
В растущем кристалле всегда имеются дислокационные несовершенства. Винтовые дислокации ведут к образованию на поверхности кристалла спиралей роста высотой от одного до нескольких тысяч атомов. Спиральный рост экспериментально обнаружен при изучении роста кристаллов магния, кадмия, серебра и других металлов. [42]
В растущем кристалле всегда имеются дислокации. Винтовые дислокации ведут к образованию на поверхности кристалла спиралей роста высотой от одного до нескольких тысяч атомов. Спиральный рост экспериментально обнаружен при изучении роста монокристаллов магния, кадмия, серебра и других металлов. [43]
Наблюдение микрорельефа граней позволяет выявлять винтовые дислокации. Нужно заметить, что при применении обычного микроскопа выявляются только винтовые дислокации, дающие начало спиралям роста. В монокристаллах карбида кремния образуются и так называемые неактивные винтовые дислокации, которые не принимают участия в формировании кристалла и могут только привести к изменению политипа в микроскопическом масштабе, если их вектор Бюргерса не равен вектору Бюргерса доминирующей дислокации. [44]
Пример плоского скопления дислокаций показан на фиг. Препятствием в данном случае служила дислокация, возникшая при росте кристалла; эта дислокация является центром спирали роста. [45]
Страницы: 1 2 3 4