Cтраница 4
Следовательно, необходимо предположить, что грань большого кристалла способна расти за счет единичной спирали роста, которая, в свою очередь, должна быть способна обеспечить одинаковую скорость роста вдоль всей грани. Кажется сомнительным, чтобы экспериментальные данные подтверждали идею о том, что грани больших кристаллов обычно растут посредством единичной спирали роста. [46]
![]() |
Эпитаксия бромуарала на фенантрене. Наличие дефектов не препятствует ориентированной кристаллизации. [47] |
Наличие на поверхности таких подложек макронерегулярностеи не оказывает влияния на эпитак-сию. Для иллюстрации этого на рис. 7 показана микрофотография осадка бромурала, образующегося на грани ( 001) фенан-трена, содержащей макроскопические спирали роста. [48]
При переводе книги было изменено распределение материала по главам, так чтобы оно лучше соответствовало логике изложения, и сделаны незначительные сокращения. Автор в оригинальном издании, по-видимому, для полноты очень кратко описал ряд малоэффективных или почти не применяемых в настоящее время методов ( спирали роста, испарение, ступеньки скола, фотоупругость и др.): именно эти страницы и были опущены при переводе. [49]
Несколько позже спиралевидные фигуры роста были выявлены и у металлов, у которых благодаря одноатомности ступеньки на поверхности кристалла гораздо меньше. Однако и их удалось выявить путем специального травления и осаждения на них посторонних атомов, например хрома, золота и др. Такие ступеньки в виде спиралей роста наблюдались на кристаллах многих металлов, например у серебра ( фиг. [50]
Новый слой атомов добавляется по мере того, как ступенька поворачивается вокруг точки выхода В, при этом ступенька никогда не исчезает. Вблизи точки В для полного поворота требуется немного атомов, а ее более удаленные от центра участки требуют большего числа атомов; поэтому центр вращается быстрее наружной части и ступенька закручивается в спираль роста ( фиг. [51]
Матева и др. [270] при полимеризации триоксана в более хорошем растворителе-нитробензоле-наблюдали в начале реакции образование кристаллов в виде гексагональных ламелей толщиной 50 - 100 А и диаметром 1000 - 2000 А. Кристаллы быстро росли в ширину, вначале без значительного изменения толщины, т.е. совершенно аналогично нормальному росту монокристаллов из растворов ( см. рис. 3 44), При увеличении конверсии кристаллы начинали расти в толщину по спирали роста с длиной вектора Бюргерса всего несколько ангстрем. [52]
![]() |
Рост грани кристалла, содержащей выход винтовой дислокации ( а и развитие спирали при росте ( о. [53] |
Если на поверхность кристалла выходят несколько винтовых дислокаций, то рост на них может происходить независимо или в условиях их взаимодействия. Это определяется расстояниями между дислокациями и их векторами Бюргерса. Началом спирали роста, очевидно, может также быть и краевая дислокация. Так как ступень винтовой дислокации ( рис. 4.7, а) имеет изломы, то адсорбированные частицы диффундируют к ступени, а затем к изломам, где встраиваются в решетку кристалла. [54]
Вычисленная по данным для работы образования двумерных зародышей величина перенапряжения, обеспечивающая рост кристалла с практически наблюдаемой скоростью, оказывается значительно больше той, при к-рой протекают многие реальные процессы. Такого рода спирали роста выявляются при микроскопия, или электрон номикро-скопич. [55]
Адатомы, находящиеся в пределах xs от кромки спирали роста, могут участвовать в росте кристалла, а все остальные адатомы стремятся испариться до того, как они достигнут кромки растущей спирали. По мере увеличения расстояния между кромками зависимость скорости роста кристалла v от степени переохлаждения приближается к зависимости первой степени. В более общем случае, когда грань кристалла содержит несколько спиралей роста, между ними возникает особое взаимодействие. [56]