Cтраница 4
Данный факт отражен на рис. 4.4 а в виде темного треугольника, перевернутого основанием вверх, и символизирующего увеличение энергетической составляющей материи при уменьшении ее концентрационной составляющей по толщине переходного 3 - 2 слоя по мере перехода из объема тела на его поверхность. Среди них есть и способы построения неоднородных поверхностей, основанные на моделях регулярных фракталов. В результате получается гофрированная поверхность, которая служит моделью неоднородной поверхности ( рис. 4.21), полученной при направленном шлифовании сколов поликристаллических сплавов. [46]
Рассеяние электронных волн происходит только из-за нарушений правильности решетки, например, тепловыми флюктуация-ми атомов или примесями. Сильное селективное рассеяние будет только в том случае, когда соседние атомные плоскости создают синфазные отраженные волны, в результате чего образуется стоячая волна. Материал реальных изделий представляет собой, как правило, поликристаллический сплав, сопротивление которого не зависит от направления его измерения. [47]
Скорость растворения стеклообразных AsSei Ga, как и стеклообразного AsSe s, определяется физико-химическим процессом, протекающим на поверхности стекол, и не зависит от процесса диффузии. В табл. 96 приведены значения скоростей растворения полученных сплавов, измеренные в 0 5 N растворах едкого натра при различных температурах. Из таблицы видно, что введение галлия в стеклообразный селе-нид мышьяка приводит к повышению химической стойкости последнего. При переходе от AsSei5 к AsSei sGao o5 и AsSei 5Gao i скорости растворения последовательно понижаются, а энергии активации растут. Скорость растворения AsSei 5Gao i примерно в два раза ниже скорости растворения AsSei5. Образование поликристаллических сплавов сопровождается, как правило, возникновением в нй х разрывов и микротрещин. Растворение таких сплавов происходит прежде всего по этим микротрещинам. При этом выпадают целые микроагрегаты с образованием на поверхности образца и в растворе диспергированной твердой фазы в виде осадка. [48]
Если мы можем каким-либо образом выделить из окружающего пространства часть материи, эта часть всегда имеет поверхность, благодаря которой вообще возможно произвести такое выделение. Так мы осознаем, что в окружающем мире существует множество различных тел и объектов. Но поверхность двумерна, а материя по ту и другую сторону поверхности трехмерна. Сложно себе вообразить какую-то резкую границу, на которой скачком происходит изменение мерности пространства. Скорее всего, вблизи поверхности раздела свойства трехмерного объема тела плавно изменяются и переходят в свойства двумерной поверхности. Показывается, что зарождение и рост трещин можно достаточно легко описать механизмом формирования дробно-размерного слоя. С этой позиции дается описание механизмов разрушения поликристаллических сплавов. [49]
Характер влияния других элементов, которые в значительно меньшем количестве могут быть введены в состав стеклообразного селенида мышьяка, зависит от химической стойкости образующихся селенидов введенного элемента. Так, при введении бора, вследствие повышенной гигроскопичности селенидов бора, химическая стойкость стеклообразных сплавов резко понижается. При введении галлия, олова, висмута химическая стойкость стеклообразных селенидов мышьяка повышается. Однако влияние этих элементов на химическую стойкость стеклообразных селенидов мышьяка проявляется значительно меньше, чем влияние таллия и меди. Влияние различных элементов на химическую стойкость исследованных стеклокристаллических сплавов зависит от степени дисперсности образующихся кристаллических микрофаз. Образование в стеклофазе микровключений высокой степени дисперсности приводит к такому же значительному повышению химической стойкости сплавов, как это наблюдается при образовании кислородных ситаллов. При возникновении в стеклообразных сплавах микровключений больших размеров образуются разрывы сплошности стеклофазы, и химическая стойкость сплавов понижается. Химическая стойкость поликристаллических сплавов также зависит от степени дисперсности образующихся кристаллических фаз. [50]