Полупроводниковый излучатель

Cтраница 2

Типовые полупроводниковые структуры полупроводниковых излучателей.| Варианты размещения активной области полупроводникового излучателя. [16]

Основные конструкции структур полупроводниковых излучателей представлены на рис. 5.29. Эпитаксиальная структура на основе laAs ( Si) на рис. 5.29 а имеет наибольший среди современных СИД квантовый выход за счет снижения оптических потерь при выходе излучения. Односторонняя ( двухслойная) гетероструктура ( рис. 5.29 6) продемонстрировала все преимущества гетероструктур. [17]

Особенности и свойства когерентных полупроводниковых излучателей, с которыми мы познакомились в предыдущих главах, позволяют использовать эти излучатели для измерения дальности, высоты и ведения связи. Малая инерционность полупроводникового лазера делает его перспективным и для использования в качестве элемента быстродействующих оптических вычислительных машин. Рассмотрим эти возможности полупроводниковых лазеров более подробно. [18]

Каким образом в полупроводниковом излучателе происходит непосредственное преобразование электрической энергии в энергию электромагнитного излучения. [19]

Значительно проще технология изготовления полупроводниковых излучателей с прозрачным полусферическим ( или параболическим) покрытием из различных пластических материалов с высоким коэффициентом преломления для увеличения критического угла полного энутреннего отражения в полупроводнике. [20]

Конструкция одноразрядного знакового индикатора ( цифрового индикатора. [21]

Большой интерес для изготовления полупроводниковых излучателей представляет нитрид галлия GaN, имеющий наибольшую ширину запрещенной зоны ( A3 3 5 эВ) среди соединений типа A BV, освоенных в технологическом отношении. Энергии фотонов, которые могут быть возбуждены в этом материале, перекрывают всю видимую область спектра. [22]

Таким образом, из полупроводникового излучателя, имеющего простейшую плоскую структуру ( рис. 9.3, а), в окружающее пространство выходит только часть фотонов, возникших в выпрямляющем электрическом переходе или вблизи него. [23]

Значительно проще технология изготовления полупроводниковых излучателей с прозрачным полусферическим ( или параболическим) покрытием из различных пластических материалов с высоким коэффициентом преломления для увеличения критического угла полного внутреннего отражения в полупроводнике. [24]

Шкала электромагнитных волн. [25]

Полупроводниковый прибор отображения информации - это полупроводниковый излучатель энергии видимой области спектра, предназначенный для отображения визуальной информации. [26]

Характеристики промышленно выпускаемых линеек GaAIAs-лазерных излучателей. [27]

Все это указывает на то, что полупроводниковые излучатели в ближайшем будущем могут составить заметную конкуренцию импульсным ксеноновым лампам. [28]

Основные материалы, на основе которых изготавливаются современные полупроводниковые излучатели, и технология их получения приведены в табл. 5.1. Здесь же приведены цвет свечения, длина волны ( Хтах), на которой интенсивность излучения максимальна, и внешний квантовый выход. Сравнение приведенных данных показывает, что мощность излучения ( квантовый выход) обычно растет с увеличением длины волны. Поэтому, если зрительное восприятие не обязательно ( невидимый диапазон излучения), используют в основном n - GaAs и GaAlAs-излучатели инфракрасного диапазона ( Ата. Для оптических линий связи, например, оптимальная передача сигнала соответствует Я 1 2 - 4 - 1 3 мкм. В СИД, предназначенных для таких линий, используются GaSb и тройные соединения на его основе. [29]

Инфракрасный излучающий диод ( ИК-диод) - это полупроводниковый излучатель, представляющий собой диод, способный излучать энергию инфракрасной области спектра. [30]

Страницы: 1 2 3 4