Полупроводниковый излучатель
Cтраница 4
Излучатель возбуждается и генерирует свет под действием энергии системы накачки: твердотельные и жидкие активные элементы возбуждаются светом импульсных ламп; газовые смеси в основном накачиваются энергией газового разряда; полупроводниковые излучатели исроль-зуют энергию электрического тока, протекающего через область р-га перехода. Разработаны системы, которые позволяют использовать для накачки газовых лазеров теплоту и энергию химических реакций. В зависимости от энергетических параметров системы накачки лазер работает в импульсном или непрерывном режимах. [46]
Таким образом, излучатель, который всю свою энергию отдает только в виде излучения с длиной волны 0 555 мкм, обладает наибольшей яркостью и экономичностью с точки зрения глаза человека. Однако полупроводниковые излучатели часто используют для передачи информации в виде импульсов излучения, которые поступают на приемники излучения со спектральными характеристиками, существенно отличающимися от спектральной характеристики видности глаза человека. В этом случае яркость излучения может оказаться совершенно бесполезным параметром. Так, для инфракрасных излучательных диодов основным параметром является полная мощность излучения в ваттах или милливаттах при определенном прямом токе. [47]
Однако в полупроводниковых излучателях1 с полусферической структурой несколько возрастают потери фотонов в результате поглощения, так как увеличивается длина их пути от места возникновения до поверхности кристалла. Все полупроводниковые излучатели с полусферической структурой имеют внешний квантовый выход на порядок выше, чем у излучателей с плоской конструкцией. [48]
Таким образом, излучатель, который всю свою энергию отдает только в виде излучения с длиной волны 0 555 мкм, обладает наибольшей яркостью и экономичностью с точки зрения глаза человека. Однако полупроводниковые излучатели часто используют для передачи информации в виде импульсов излучения, которые поступают на приемники излучения со спектральными характеристиками, существенно отличающимися от спектральной характеристики видности глаза человека. В этом случае яркость излучения может оказаться совершенно бесполезным параметром. Так, для инфракрасных излучательных диодов основным параметром является полная мощность излучения в ваттах или милливаттах при определенном прямом токе. [49]
Однако в полупроводниковых излучателях с полусферической структурой несколько возрастают потери фотонов в результате поглощения, так как увеличивается длина их пути от места возникновения до поверхности кристалла. Все полупроводниковые излучатели с полусферической структурой имеют внешний квантовый выход на порядок выше, чем у излучателей с плоской конструкцией. [50]
При этом один фотон может индуцировать множество вторичных фотонов ( лавину), которые будут иметь ту же самую длину волны и фазу, что и первичный фотон. В электросветовых полупроводниковых излучателях такая накачка осуществляется за счет электрической энергии. [51]
Многие полупроводниковые излучатели могут излучать только некогерентные электромагнитные колебания. К ним относятся полупроводниковые излучатели видимой области спектра - полупроводниковые приборы отображения информации ( свето-излучающие диоды, полупроводниковые знаковые индикаторы, шкалы и экраны), а также полупроводниковые излучатели инфракрасной области спектра - инфракрасные излучающие диоды. [52]
Уже в первом десятилетии нашего века для получения термоэлектронных токов при сравнительно низких температурах начали применять окислы щелочноземельных металлов - сначала окись кальция, а в последнее время смесь окиси бария с окисью стронция, в которой имеется избыток металлических бария и стронция. Работа выхода такого полупроводникового излучателя не превышает 0.6 эл. Избыток атомов бария сообщает окиси электронный характер проводимости, как показал Н. Д. Моргулис, определив знак термоэлектродвижущей силы. С увеличением избытка бария растет и термоэлектронная эмиссия. [53]
 |
Конструкция одноразрядного знакового индикатора ( цифрового индикатора. [54] |
Однако технология изготовления монокристаллов карбида кремния и технология формирования выпрямляющих электрических переходов в этих монокристаллах отличаются сложностью. Кроме того, в полупроводниковых излучателях из карбида кремния не удается получить высокий квантовый выход. [55]
 |
Энергетическая схема сверхструктуры ( мини-зоны заштрихованы. [56] |
Люминесценция может быть вызвана светом ( фотолюминесценция) илп электрич. На явлении электролюминесценции основана работа большинства полупроводниковых излучателей света ( см, Светоизлучающий диод. [57]
Обратные ветви ВАХ не представляют практического интереса, так как полупроводниковые излучатели с выпрямляющим электрическим переходом должны работать только при включении в прямом направлении. Следует, однако, иметь в виду, что пробивные напряжения полупроводниковых излучателей с выпрямляющим электрическим переходом не превышают нескольких вольт. [58]
Страницы: 1 2 3 4