Полупроводниковый излучатель
Cтраница 3
 |
Структура ( а, схема включения ( б и условное обозначение ( s фототиристора. [31] |
В качестве элементов оптронной пары могут быть использованы различные полупроводниковые излучатели света и приемники излучения. [32]
Блок-схема дальномера МСД-1 приведена на рис. III.3.11. Свет полупроводникового излучателя 1 объективом 2 направляется на призменный отражатель 3, установленный на другом конце измеряемой линии. [33]
Обратные ветви ВАХ не представляют практического интереса, так как полупроводниковые излучатели с выпрямляющим электрическим переходом должны работать только при включении в прямом направлении. Следует, однако, иметь в виду, что пробивные напряжения полупроводниковых излучателей с выпрямляющим электрическим переходом не превышают нескольких вольт. [35]
Источниками излучения могут быть лампы накаливания, газоразрядные лампы, полупроводниковые излучатели - светодиоды или инжекци-онные лазеры. [36]
Обратные ветви ВАХ не представляют практического интереса, так как полупроводниковые излучатели с выпрямляющим электрическим переходом должны работать только при включении в прямом направлении. Следует, однако, иметь в виду, что пробивные напряжения полупроводниковых излучателей с выпрямляющим электрическим переходом не превышают нескольких вольт. [38]
В табл. 1.2 приведены материалы, которые используются для изготовления полупроводниковых излучателей; дано также значение ширины запрещенной зоны S 3 для каждого материала. Как видно из табл. 1.2, предпочтение в современных излучателях отдано полупроводникам е прямыми переходами. Выбор ширины запрещенной зоны 83 определяется рабочей длиной волны излучателя в оптическом диапазоне волн. [39]
Основным методом формирования p - n - переходов и гетеропереходов при создании полупроводниковых излучателей на основе арсенида галлия GaAs, фосфида галлия GaP, твердых растворов этих соединений GaAsi - jP и других соединений типа A BV является метод эпитаксиального наращивания. Обычно это жидко-фазная эпитаксия, иногда - эпитаксия из газовой фазы. [40]
Основным методом формирования p - n - переходов и гетеропереходов при создании полупроводниковых излучателей на основе арсенида галлия GaAs, фосфида галлия GaP, твердых растворов этих соединений GaAsi - xP и других соединений типа AUIBV является метод эпитаксиального наращивания. Обычно это жидко-фазная эпитаксия, иногда - эпитаксия из газовой фазы. [41]
Среди задач, решаемых с помощью оптических покрытий, имеется ряд общих как для полупроводниковых излучателей, так и для приемников излучения, таких, как вентильные фотоэлементы, фотодиоды и фотосопротивления. [42]
Полупроводниковый оптрон-это прибор, состоящий из оптически связанных между собой элементов оптронной пары ( управляемого полупроводникового излучателя света и полупроводникового приемника излучения) и предназначенный для выполнения различных функциональных преобразований электрических или оптических сигналов. [43]
В современных светпдальномерах применяются два типа источника излучения: когерентные, к которым в рассматриваемом случае относятся газовые квантовые генераторы ( ОКГ); некогерентные полупроводниковые излучатели, газоразрядные лампы и лампы накаливания. [44]
 |
Энергетическая схема квантового генератора на кристалле рубина. [45] |
Страницы: 1 2 3 4