Излучение - образец
Cтраница 3
Часто забывают, что когда образец нагревается или охлаждается в iiOiH, температура печи и образца неодинакова. Между ними всегда имеется разность температур, которая определяется удельной теплоемкостью, теплопроводностью, излучением образца, характеристиками его контейнера ( например, тигля) и средой в рабочем пространстве печи. [31]
Свечение образца сравнивается с свечением эталона; это достигается при помощи фотометрической системы, дающей в выходном зрачке прибора совмещенное изображение обоих светящихся объектов. Фосфороскопические наблюдения осуществляются при помощи вращающегося диска с четырьмя симметричными отверстиями: в глаз наблюдателя попадает излучение образца в тот момент, когда диск препятствует попаданию на него лучей лампы. [32]
Зеркало 12 представляет собой прозрачную стеклянную плоскопараллельную пластинку с коэффициентом отражения около 8 %, поэтому оно мало влияет на яркость измеряемого излучения. Если нет надобности в разбавлении излучения образца, то пучок белого света перекрывается заслонкой 14, которая может быть заменена светофильтром, если к излучению образца необходимо добавить не белый свет, а окрашенный. [33]
 |
Схема установки для измерения времени жизни носителей заряда фазовым методом по фотолюминесценции. [34] |
Схема установки для измерения времени жизни носителей заряда представлена на рис. 4.16. Образец О возбуждается лучом лазера Л с модулированной добротностью. Интенсивность падающего потока регулируется ослабителем ОИ. Излучение образца направляется на систему оптических фильтров Ф, которая пропускает краевую люминесценцию, и фокусируется на фотоэлектронный умножитель ФЭУ. С фотоумножителя напряжение подается на первый вход фазочувствительного вольтметра ФВ. Зеркало 3 [ служит для изменения направления хода светового луча. Фазочувствительный вольтметр измеряет разность фаз этих напряжений. Разность фаз между возбуждающим излучением лазера и опорным напряжением от фотодиода измеряется при прохождении рассеянного образцом излучения лазера по тому же оптическому пути, что и реком-бинационное излучение образца. По результатам этих измерений вычисляют сдвиг фаз между возбуждающим световым потоком и потоком фотолюминесценции. [35]
В связи с появлением материалов, физически и химически стойких до температуры 2500ЭС, все более ощущается необходимость в надежных методах измерения высокотемпературных характеристик подобных материалов. Особенно при проведении космических исследований и исследований в области атомной энергии крайне важно знать физические свойства высокотемпературных жаропрочных и жаростойких материалов. Излучение образца, нагреваемого в индукционной печи этой установки, падает на полупроводниковый ИК-приемник, усиленный выходной сигнал которого подается на двухперьевый координатный самописец. [36]
Предварительно определяют интенсивность излучения каждого из индивидуальных углеводородов для определенных длин волн - 5 1, 8 4, 9 1, 10 4, 11 4, 13 3 и 14 5 мк. Затем измеряют интенсивность излучения анализируемого образца для этих же длин волн. Поскольку интенсивность излучения образца для каждой длины волны равна сумме излучений присутствующих компонентов, то концентрацию этих компонентов определяют путем решения системы уравнений. [37]
 |
Участок спектрограммы золы нефти месторождения Кара-жанбас ( / и эталона ( 2, содержащего, %. ВаО 0 5. V205 20. МпО 0 2 и Fe203 51 8. [38] |
Двухканальная система спектрометра позволяет регистрировать излучение образца сравнения и анализируемой пробы, которые располагают в про-бодержателях под окном рентгеновской трубки. [39]
Активность изотопов может быть измерена в относительных величинах путем сравнения с активностью эталона или в абсолютных величинах - единицах кюри. Во многих иследованяях ограничиваются измерением относительных величин. Например, при определении интенсивности излучения образца, содержащего радиоактивное вещество на разной глубине от поверхности, или при определении периода полураспада этого вещества активность измеряют на одном и том же источнике, но в разные моменты времени. [40]
В настоящее время большой интерес представляют спектрометры с электрическим сравнением интенсивности двух пучков, поскольку они, пожалуй, свободны от перечисленных недостатков. Динамически устойчивый нуль здесь может быть осуществлен электрически с помощью устройства, значительно более простого, чем байпасная оптическая схема. Модуляция излучения происходит сразу после источника, так что образец освещается модулированным излучением, и поэтому излучение образца не влияет на точность измерений поглощения. Кроме того, можно предположить, что характеристики проволочного сопротивления, с помощью которого определяется отношение сигналов пучков, более стабильны, чем характеристики фотометрического клина. Создание систем для перечисленных высокочастотных областей спектра облегчено тем, что для этих областей существуют малоинерционные фотопроводящие приемники излучения, работающие при комнатной температуре. Для коротковолновой области существуют и интенсивные источники излучения, и высокоэффективные приемники излучения, поэтому отношение сигнала к шуму не вырастает в серьезную проблему. Для средней же ИК-об-ласти системы с электрическим сравнением интенсивностей не являются столь простым и доступным средством исключения недостатков систем с оптическим нулем. В этом случае сложность оптических и механических схем в значительной мере заменяется трудностями создания электронных устройств. [41]
Увеличение чувствительности фазового анализа связано с возможностью измерения линий малой интенсивности. Основными источниками появления фона дифракционной картины являются: наличие белого излучения в спектре трубки, рассеяние характеристического и белого излучений деталями камеры или дифрактометра, флоурес-центное излучение образца, рассеяние воздухом, некогерентное рассеяние излучения характеристического и сплошного спектра образцом. [42]
Данных о периоде полураспада и атомном номере часто недостаточно для характеристики радиоактивного изотопа. Два изотопа одного элемента часто имеют близкие периоды полураспада. В таком случае их следует различать по типам и энергиям испускаемого ими излучения. Исследование излучения образца стронция, предварительно облученного медленными нейтронами, показывает, что, после того как излучение с периодом полураспада 2 8 час практически прекратилось, наблюдается - кроме р - частиц с энергией 1 5 Мэв, испускаемых 51-дневным изотопом Sr89 - еще у-излучение и характеристическое рентгеновское излучение рубидия. При более тщательном исследовании двух последних типов излучения оказалось, что их интенсивность уменьшается с периодом полуослабления 65 дней. Значения 51 и 65 дней практически невозможно различить, на основании общей кривой распада образца, облученного нейтронами. Присутствие характеристического рентгеновского излучения рубидия показывает, что 65-дневный изотоп распадается с образованием рубидия путем испускания позитрона или / sT - захвата. Позитронное излучение отсутствует, и, следовательно, рассматриваемый процесс должен представлять собой захват орбитального электрона. Поскольку 65-дневный изотоп не образуется по ( п, а) - реакции из Zr90, последнее предположение отпадает. [43]
На рис. 4.9 представлена упрощенная схема экспериментальной установки для измерения интенсивности фотолюминесценции в зависимости от длины волны возбуждающего излучения. Световой поток от источника света с помощью оптической системы ОС фокусируется на входную щель монохроматора Мх. Монохроматический световой поток возбуждает фотолюминесценцию образца О. Часть светового потока излучения образца регистрируется фотоприемником ФП. [44]
Спектроскопия гамма-излучения широко используется в ядерной физике. Путем изучения спектра гамма-излучения может быть получена информация о структуре ядра, взаимодействии между ядрами и химическом составе вещества. Даже в электронной промышленности этот метод исследований используется интенсивно. Облучив в ядерном реакторе материал, идущий на изготовление полупроводников ЭВМ, и изучив спектр излучения образца, можно выявить примеси, находящиеся в материале в ничтожно малых количествах и понижающие рабочие характеристики аппаратуры. [45]
Страницы: 1 2 3 4