Cтраница 2
Сравнение соотношений ( 135), ( 139) и ( 142) показывает, что для оптимизации выявления дефектов различной структуры целесообразно в конструкции вычислительного томографа предусмотреть возможность изменения толщины контролируемого слоя и предела пространственного разрешения. [16]
Сравнение соотношений (12.12) и (12.13) показывает, что если используются средневзвешенные по плотности величины, то получаются более компактные формулы с меньшим числом неизвестных корреляций. [17]
Сравнение соотношений ( 1), ( 2) и ( 6), ( 7) показывает основное различие формирования ударного нагружения при торможении предварительно разгоняемого тела и при его разгоне. Нетрудно заметить, что начальная скорость соударения v0, которую должно иметь испытуемое изделие в начале торможения, соответствует скорости vp, которую должно иметь, испытуемое изделие в мом. [18]
![]() |
Рентгенограмма клеевого соединения. [19] |
Сравнение соотношений ( 135), ( 139) и ( 142) показывает, что для оптимизации выявления дефектов различной структуры целесообразно в конструкции вычислительного томографа предусмотреть возможность изменения толщины контролируемого слоя и предела пространственного разрешения. [20]
Из сравнения соотношений (10.16) и (10.19) следует, что абсолютная погрешность оценки ОНИ за счет неполноты вытеснения при вторичной закачке и полученные значения ОНИ окажутся заниженными относительно пластовых. [21]
Из сравнения соотношений (6.114) и (5.268) следует, что аналогичное обобщение допускают также выражения (5.271), (5.273), описывающие ван-дер-ваальсово взаимодействие нескольких частичек с учетом многочастичных ван-дер-ваальсовых сил между ними. [22]
Из сравнения соотношений (1.22) и (1.23) следует, что G0 Gycr. Следовательно, для обеспечения герметичности пакера во время закачки необходимо приложить к пакеру вес значительно больший, чем вес, передающийся ему в момент установки пакера. [23]
Из сравнения соотношений (4.10) и (4.11) видно, что Лм, этМм является поправочным коэффициентом на различие плотности потока частиц при последовательном облучении пробы и стандартного образца. [24]
Из сравнения соотношений (9.48) и (9.53) следует, что в последнем случае максимальный инкремент нарастания имеют возмущения с частотой, отличающейся от частоты точного синхронизма, поскольку с электромагнитной волной взаимодействуют одновременно две вырожденные парциальные электронные волны. [25]
Из сравнения соотношений (3.100) и (3.93) следует, что они по существу представляют собой две формы записи одного и того же уравнения. Это объясняется тем, что при их выводе были использованы одинаковые допущения. Соотношение (3.100) является более удобным, чем соотношение (3.93), для расчета фактора разделения ( разделительной способности) колонны в отборном режиме. Но при этом необходимо знать величину п, предварительная оценка которой может быть произведена на основе известных значений КПД тарелки для заданных условий работы колонны. Легко показать, что для уравнения (3.100) соблюдаются необходимые краевые условия по составу фаз на концах ректифицирующей части. В связи с этим, касаясь других методов потарельчатого расчета [212 - 218], следует заметить, что в интересующем нас случае они дают или зависимость вида (3.93), или же приводят к более приближенным соотношениям, не удовлетворяющим указанным краевым условиям. [26]
Из сравнения соотношений (6.53) и (6.55), а также (6.54) и (6.56) видно, что TIP Tic и T2F T2r Таким образом, при одной и той же погрешности е в выполнении материального баланса по индикатору ступенчатое возмущение обоих видов ( на насыщение или на вымывание) предпочтительнее импульсного возмущения. [27]
Из сравнения соотношений ( 4) и ( 5) вытекает, что показания прибора, определяемые напряжением V, линейно зависят от содержания серы уч благодаря чему прибор обладает равномерной шкалой. [28]
Из сравнения соотношения (1.15) с формулой (1.9) видим, что при таком движении уменьшается суммарное ускорение, а при а g жидкость будет невесомой. [29]
При сравнении соотношений ( 213) и ( 214) видно, что в отдельных случаях допускается небольшое превышение напряжений Ек и Ек2 значений максимально допустимых напряжений коллектор-база транзисторов. Последнее связано с тем, что вследствие протекания по коллекторным сопротивлениям токов, ответвляющихся в сопротивления обратной связи, напряжение на коллекторах закрытых транзисторов составляет 0 75 - 0 9 величины напряжений источников питания. [30]