Дифрагированное излучение

Cтраница 2

Акустооптическая рефракция.| Схема акустооптического.| Схема волноводного акустооптического дифракционного модулятора на поверхностных акустических волнах. / - ВЧ-генератор. 2 - подложка. 3 - оптический волновод. 4 - встречно-штыревой пьезопреобразователь. 1П, / 0 и It - волноводные моды соответственно падающего, прошедшего и дифрагированного света. [16]

Такая АО дифракция в виде простого поворота плоскости поляризации дифрагированного излучения на угол 90 позволяет выделять из широкого спектра падающего оптич. [17]

Чем больше т э и меньше б, тем в большей степени дифрагированное излучение ослабляется за счет поглощения. Увеличение г з означает уменьшение доли энергии первичного пучка, приходящейся на единицу поверхности кристалла; уменьшение 6 связано с уменьшением доли энергии дифрагированного излучения, приходящейся на единицу сечения пучка, а значит, и уменьшением почернения рентгеновской пленки. [18]

Преимущество фотометода по сравнению с дифрактометрическим методом состоит в возможности получения пространственного распределения дифрагированного излучения; это определяет специфику применения указанных методов. [19]

Схема тетопа ДсОая - Шеррера. 1 - первичный луч. г - коллиматор. 3 - рентгеновская пленка в цилиндрической насесте. 4 - образец в форме столбика или проволоки, расположенный на оси кассеты. Л - дифракционные линии па пленке. О, Фг - углы Брэгга.| Дифрактограммы порошка графита вверху - рентгеновская цифрактограмма, внизу-нсйтронограмма. Цифры у дифракционных максимумов указывают миллеровские индексы. [20]

Если кристаллики, составляющие образец, относительно велики, то для получения равномерного распределения дифрагированного излучения по всей поверхности конуса и, следовательно, равномерного почернения линий па дебаеграмме образец вращают вокруг оси кассеты с небольшой угл. [21]

В случае фотоэлектрической регистрации счетчик служит для получения количественных характеристик несовершенства монокристалла по зависимости интенсивности дифрагированного излучения от угла поворота или от смещения образца. [22]

Вдоль линий, для которых толщина кристалла равна ( г 1 / 2), где г - целое число, интенсивность дифрагированного излучения максимальна, и поэтому на изображении наблюдаются темные линии. Контуры такого типа мало смещаются при изменении наклона образца по отношению к падающему пучку. [23]

К лимбу крепится счетчик излучения, который в случае фотографической регистрации служит для качественного контроля установки исследуемого образца монокристалла в отражающее положение по максимуму интенсивности дифрагированного излучения. [24]

Наряду с традиционным постоянным улучшением устройств генерирования рентгеновского излучения ( главным образом - совершенствование рентгеновских трубок), улучшением коллимационных и гониометрических узлов, повышением эффективности регистрации дифрагированного излучения широко распространенными сейчас ионизационными счетчиками, в настоящее время намечается существенный шаг вперед, который можно назвать шагом качественного характера. [25]

Очевидно, что оптическая сила данных аподизирующих апертур должна быть существенно выше, нежели оптическая сила других апертур, присутствующих в резонаторе, например апертуры АЭ, с тем, чтобы подавляющая часть дифрагированного излучения была использована в качестве выходного излучения лазера. [26]

Учитывая, что рассеянное частицами излучение состоит из изотропной и дифрагированной составляющих, можно ввести в рассмотрение понятие о критерии Sc для изотропного излучения: 5сиз Риз / ( а - Ь Риз) - Поскольку при значительном рассеянии вперед дифрагированное излучение входит в проходящее, доля дифрагированно-рассеянного излучения при 5сиз - idem и а idem не влияет на показатели теплообмена в топке. [27]

Рентгеновские спектры ] падает на поликристаллич. Дифрагированное излучение регистрируется па рентг. [28]

Узлы обратной решетки, которые могут давать отражения, определяются структурным фактором, обусловливающим положения отдельных атомов в структуре кристалла. Каждый атом дает вклад в дифрагированное излучение в виде рассеянной волны. В зависимости от положения атомов эти рассеянные волны для определенных направлений могут не совпадать по фазе и ослаблять друг друга. Эти направления, в свою очередь, связаны с отражающими плоскостями или узлами обратной решетки. Например, для объемно-центрированной кубической кристаллической решетки структурный фактор равен нулю для всех плоскостей ( и соответственно для всех узлов обратной решетки, для которых сумма ( h k - f /) нечетна. [29]

Неупорядоченные методы, как правило, не дают величины одного из параметров БП - угла между связями. Основной характеристикой, получаемой дифракционными методами, является интенсивность дифрагированного излучения как функция передаваемого импульса i ( q), где q 4 л sin 6 / A. Из кривой интенсивности рассеянного излучения путем Фурье-преобразования произведения q i ( q) получают функцию ( кривую) радиального распределения атомной плотности. [30]

Страницы: 1 2 3 4