Парамагнитный вклад

Cтраница 1

Парамагнитный вклад в восприимчивость обусловлен спиновым и орбитальным угловыми моментами, взаимодействующими с полем. В первую очередь мы рассмотрим систему, имеющую сферическую симметрию, с одним электроном и в отсутствие орбитального вклада в момент. [1]

Парамагнитный вклад в константу экранирования обратно пропорционален энергии возбуждения, разделяющей основное и возбужденное состояния. В атоме водорода Is - и 2р - орбитали сильно различаются по энергии и парамагнитный вклад не имеет существенного значения. В связи с этим общая протяженность спектров протонного магнитного резонанса мала. [2]

Парамагнитный вклад обусловлен различием ин-тенсивностей зеемановских компонент переходов, возникающим вследствие разной населенности магн. [3]

Для протонов парамагнитный вклад в атомное экранирование Од не играет, как правило, существенной роли. Поэтому следует ожидать, что увеличение электронной плотности на соседнем атоме, приводящее к увеличению диамагнитного вклада а, вызовет увеличение константы экранирования ОА в целом. [4]

Если бы имелся парамагнитный вклад, ок был бы представлен линейным относительно Н членом, который опущен в ( 35), где учитывается лишь диамагнитный вклад. [5]

Из этого равенства следует, что парамагнитный вклад в полную восприимчивость обратно пропорций шлен абсолютной температуре. Это верно для ряда соединений, которые в таком случае считают подчиняющимися закону Кюри. [6]

Вследствие понижения симметрии электронного распределения увеличивается парамагнитный вклад в экранирование, и наблюдаются сдвиги в слабое поле. Ядра 19F во фторированных карбокатионах сильно дезэкранированы. [7]

Это явление может быть обусловлено отмечавшимся выше парамагнитным вкладом Ор в экранирование ядра I9F, поскольку в молекулах электронное возбуждение может вовлекать низколежащие орбитали атомов галогенов. [8]

Так как и концентрация неспаренных спинов и парамагнитный вклад, отнесенный к спину, меняются с температурой, то температурная зависимость полной магнитной восприимчивости может иметь сложный характер с наличием максимума. [9]

Вызванное полем смешение возбужденных состояний используется для интерпретации парамагнитного вклада в химический сдвиг. [10]

Расчет матричных элементов, входящих в выражение (5.25) для парамагнитного вклада в восприимчивость, довольно сложен. [11]

Однако их средняя величина хд может быть найдена вычитанием среднего парамагнитного вклада из наблюдаемой средней величины чувствительности жидкой воды. [12]

В ряду HF, HC1, НВг и HI величина парамагнитного вклада Детпара возрастает с ростом атомного номера галогена. [13]

Магнитная восприимчивость нормальных металлов. [14]

Более того, имеется ряд металлов, которые, несмотря на парамагнитный вклад электронного газа, в целом диамагнитны. [15]

Страницы: 1 2 3 4