Вторичное излучение

Cтраница 3

РАССЕЯНИЕ РАДИОВОЛН - образование вторичного излучения, источниками к-рого являются неоднородности вещества, возбуждаемые полем первичной волны. Степень когерентности излучения таких вторичных источников определяется корреляц. Интерференция вторичных волн вызывает образование сложной дифракц. Динамика и эволюция поля неодно-родностей приводят к соответствующей изменчивости его дифракц. Максвелла уравнения, в к-рых диэлектрич, проницаемость среды e ( r, t) является случайной ф-цией координат и времени. Дв ( г, () определяют угловой и частотный спектры рассеянного поля, колебания его интенсивности, амплитуды, фазы, поляризации. [31]

Наконец, в качестве вторичного излучения можно рассматривать также вырываемые первичными лучами из встречных молекул электроны ( так называемые дельта-лучи) и возникающие при их обратном присоединении рентгеновские лучи. Все перечисленные виды вторичного излучения при дальнейшем рассмотрении материала по радиоактивности во внимание не принимаются. [32]

Наконец, в качестве вторичного излучения можно рассматривать также вырываемые первичными лучами из встречных молекул электроны ( так называемые дельта-лучи)) и возникающие при их обратном присоединении рентгеновские лучи. Все перечисленные виды вторичного излучения при дальнейшем рассмотрении материала по радиоактивности во внимание не принимаются. [33]

Для защиты пленки от вторичного излучения окружающих предметов кассеты с обратной стороны закрывают свинцовыми защитными экранами. [34]

Кроме рассеянных у-лучей к вторичному излучению относятся электроны, вырываемые из поверхности экрана. Вследствие большой ионизирующей способности электронов, непосредственно у поверхности экрана на расстоянии порядка пробега электрона мощность дозы будет несколько повышена. Электроны вылетают из некоторого эффективного слоя, толщина которого зависит от пробега электронов в данной среде. Очевидно, что число вылетающих электронов при одинаковой интенсивности у-лу-чей пропорционально толщине эффективного слоя и числу электронов, вырываемых в единице объема вещества экрана. [35]

На качество снимка также влияют вторичное излучение, условия фокусировки и фототехника. [36]

Основное условие существования анизотропии распределения вторичного излучения ( Л 0) заключается в том, чтобы спин промежуточного ядра прецессировал iBOKpyr направления вылета первой частицы. Такое взаимодействие приводит к прецессии ядерного спина не вокруг направления вылета первой частицы, а вокруг направления поля. [37]

Другой метод - использование особенностей вторичного излучения относительно первичного. Выделение отраженного сигнала возможно за счет появления в нем специфич. Выделяя и усиливая разностную частоту ( биения) между излучаемыми и принимаемыми колебаниями, можно обнаружить слабое вторичное излучение. При этом достигается высокая чувствительность и значит, величина Люах - В таких устройствах направленные антенны позволяют определять направление на отражающий объект. Дальность же непосредственно не измеряется и может лишь оцениваться по интенсивности принимаемого сигнала. Достоинства доплеровских систем ( с непрерывным немодулированным излучением): простота и возможность применения высокочувствит. [38]

Схематическое изображение флуорометр. а. [39]

ОреСЦеНТНОе ИЗЛуЧеНИе ВЫДеЛЯЮТ С для вторичного излучения; 7 -ре - ПОМОЩЬЮ второго фильтра или монохро-матора и измеряют его интенсивность чувствительным фотоэлементом. [40]

Влияние на интенсивность и спектр вторичного излучения физико-химических свойств материала контролируемого объекта ( см. § 7.5) дает возможность проводить их контроль, причем чаще всего ионизирующие излучения используют для измерения физических свойств, связанных с плотностью и составом материала. Аппаратура радиационного контроля качества применяется для измерения плотности, концентрации определенного вещества ( элемента) в смеси или химическом соединении, расхода вещества, и для обнаружения наличия того или иного вещества в каком-то объеме. Контроль физических свойств проводят по прошедшему или отраженному излучению, а также по наведенной или собственной радиоактивности материала. Одним из перспективных методов радиационного контроля материалов является применение нейтронных потоков и наиболее чувствительных - радиационных методов избирательного контроля содержания определенных химических элементов. [41]

Для целей простой геометрической формы диаграмма вторичного излучения может быть рассчитана теоретически в результате более или менее строгого решения соответствующей электродинамической задачи. [42]

К расчету отражения от сферы. [43]

Это означает, что из центра вторичного излучения лучи расходятся приблизительно одинаково как в случае выпуклой, так и в случае вогнутой сферы. [44]

Влияние величины фокуса на четкость изображения. [45]

Страницы: 1 2 3 4