Изменение - концентрация - носитель - заряд
Cтраница 1
Изменение концентрации носителей заряда в приповерхностном слое полупроводника должно приводить к изменению его электропроводности. [1]
Изменение концентрации носителей заряда при освещении подчиняется экспоненциальному закону с постоянной времени, равной времени жизни неравновесных носителей заряда. [2]
Скорость изменения концентрации носителей заряда зависит от избыточной концентрации, ее градиента и пространственной производной градиента. [3]
Найдем скорость изменения концентрации носителей заряда, обусловленную различием в величинах втекающего и вытекающего токов. [4]
АКУСТОКОНЦЕНТРАЦИОННЫЙ ЭФФЕКТ - изменение концентрации носителей заряда вблизи поверхностей полупроводникового образца под действием распространяющегося в нем стационарного акустич. [5]
 |
Схема компенсации паразитной ЭДС, индуцируемой в цепи выходных электродов. [6] |
Вторая причина - изменение концентрации носителей заряда из-за влияния поверхностной рекомбинации носителей, которые отклоняются силой Лоренца к боковой поверхности преобразователя. [7]
 |
Фазовая диаграмма Bi-Te. [8] |
Поэтому избыток компонентов не вызывает изменения концентрации носителей заряда. В качестве легирующей примеси для материала w - типа обычно используются галогены. Однако введение галогенов сопровождается некоторыми сложностями. Галогены обычно вносятся в составе лигатуры или в виде солей. Однако желательно при этом не вводить посторонних примесей, которые могут уменьшать подвижность носителей заряда. В принципе годятся гало-гениды висмута: BiCb, BiBr3, ВЦ3, но они гигроскопичны. [9]
Для большинства полупроводников основным является изменение концентрации носителей заряда, определяемое энергией активации. Так как ширина запрещенной зоны может увеличиваться и уменьшаться при сближении атомов, то у различных полупроводников одна и та же деформация может вызывать как увеличение, так и уменьшение проводимости. [10]
Для большинства полупроводников основным является изменение концентрации носителей заряда, определяемое энергией активации. Так как ширина запрещенной зоны может как увеличиваться, так и уменьшаться при сближении атомов, то у различных полупроводников одна и та же деформация может вызывать как увеличение, так и уменьшение удельной проводимости. [11]
Характер изменения функции, описывающей изменение концентрации ориентированных носителей заряда за счет переброса из одного состояния в другое, при нарастающем поле сохраняется и для более сложных систем диэлектриков. [12]
Уравнение непрерывности устанавливает зависимость скорости изменения концентрации носителей заряда от избыточной концентрации, ее градиента и пространственной производной градиента. Оно играет важную роль при анализе процессов в полупроводниковых приборах. [13]
 |
Энергетические уровни примесей в полупроводнике.| Спектр примесного поглощения света мышьяком.| Возникновение э. д. с. на обкладках полупроводника при освещении светом. [14] |
Изменение сопротивления вызывается в основном изменением концентрации носителей заряда за счет одного из механизмов поглощения света собственного или примесного поглощения. [15]
Страницы: 1 2 3 4