Cтраница 2
Зависимость электропроводности полупроводников от температуры объясняется изменением концентрации носителей заряда в зонах, а также изменением их подвиж-ностей. [16]
Уравнения непрерывности представляют собой систему уравнений, описывающих изменение концентрации носителей заряда в малом объеме полупроводникового материала. Эта система имеет большое значение при анализе и описании полупроводниковых интегральных микросхем. [17]
Выражения (1.24) и (1.25) показывают, что скорость изменения концентрации носителей заряда зависит одновременно от трех факторов. Первый фактор характеризуется повышением концентрации носителей со скоростью g благодаря какому-либо внешнему воздействию ( например, освещению); второй - скоростью рекомбинации избыточных носителей заряда, в результате чего их концентрация убывает; третий - скоростью изменения концентрации носителей заряда вследствие того, что число носителей заряда, втекающих в бесконечно малый объем, не равно числу вытекающих носителей заряда. [18]
Проводимость канала изменяется с помощью цепи управления либо за счет изменения концентрации носителей заряда канала, либо за счет изменения его геометрических размеров. [19]
Второй причиной изменения входного сопротивления преобразователя Холла в магнитном поле является изменение концентрации носителей заряда из-за влияния поверхностной рекомбинации носителей, которые отклоняются силой Лоренца к боковой поверхности преобразователя. [20]
Изменение удельного сопротивления полупроводниковых материалов под действием температуры обусловлено главным образом изменением концентрации носителей заряда. [21]
В транзисторе дело обстоит иначе: изменить ток в цепи коллектора можно только изменением концентрации носителей заряда в области базы, что достигается изменением тока, протекающего в цепи эмиттер-база. [22]
И в том и в другом случае зависимость сопротивления полупроводника определяется в основном изменением концентрации носителей заряда, так как температурные изменения подвижности при этом пренебрежимо малы. [23]
Это падение потенциала сказывается на скорости электрохимической реакции переноса зарядов точно так же, как падение потенциалов в диффузной части л.э.с. ( ф - потенциал): во-первых, из-за изменения концентрации носителей зарядов в поверхностном слое и, во-вторых, из-за изменения воздействия потенциала на энергию активации реакции. [24]
Эти особенности полупроводников создают чрезвычайно интересные и многообразные возможности. Они позволяют изменять электропроводность за счет изменения концентрации носителей заряда на несколько порядков, что дает возможность создавать устройства, в которых непосредственно в твердом теле имеются области с проводимостью разного типа, граница между которыми ( так называемый n - p - переход) может служить для выпрямления и усиления сигналов. Возбуждение атомов создает условия для детектирования разных излучений и внешних воздействий, а переход возбужденного атома в стабильное состояние позволяет генерировать различного рода излучения. Создаются широчайшие возможности для преобразования одних видов энергии ( электрической, тепловой, механической, энергии частиц и излучений) в другие. [25]
Изменение электрического сопротивления полупроводника, обусловленное непосредственным действием излучения, называется фото-резистивным эффектом, или внутренним фотоэлектрическим эффектом. Изменение сопротивления, или проводимости, вызывается изменением концентрации носителей заряда. [26]
Изменение электрического сопротивления полупроводника, обусловленное непосредственным действием излучения, называют фоторези-стивным эффектом, или внутренним фотоэлектрическим эффектом. Изменение сопротивления, или проводимости, вызывают изменением концентрации носителей заряда. [27]
Например, при подаче внешнего отрицательного напряжения на п-область появляется возможность инжекции неосновных носителей в объем полупроводника. На этом важном свойстве р - п перехода - изменении концентрации носителей заряда - основана вся полупроводниковая электроника. Образование р - п перехода достигается обычно вплав-лением или диффузией в полупроводник п - или р-типа примеси другого вида с тем, чтобы в одной области полупроводника иметь избыток носителей одного знака, а в другой области избыток носителей заряда другого знака. [28]
Подвижность носителей заряда под действием света может меняться, когда при освещении изменяется энергетическое состояние носителей заряда, изменяя их эффективную массу ( изменяя закон дисперсии) или изменяется характер рассеяния носителей заряда, изменяя время релаксации. Обычно широко исследуются и уже нашли применение в технике фотоэлектрические явления, вызванные изменением концентрации носителей заряда при освещении. Поэтому здесь мы остановимся на некоторых особенностях именно этого класса фотоэлектрических явлений. [29]
В них наблюдается большое изменение сопротивления, которое не может быть объяснимо указанным выше изменением концентрации носителей заряда. Вспомним, что валентная зона германия и кремния обладает почти сферическими поверхностями энергии, поэтому объяснить аномально большое тензосопротивление анизотропией проводимостей подобно тому, как это имеет место в зоне проводимости, нельзя. При наложении анизотропной деформации нарушается симметрия поля решетки, что приводит к снятию вырождения - потолок валентной зоны легких и тяжелых дырок смещается на различную величину и в противоположных направлениях. [30]