Изменение - концентрация - носитель - заряд
Cтраница 3
В них наблюдается большое изменение сопротивления, которое не может быть объяснимо указанным выше изменением концентрации носителей заряда. Вспомним, что валентная зона германия и кремния обладает почти сферическими поверхностями энергии, поэтому объяснить аномально большое тензосопротивление анизотропией проводимостей подобно тому, как это имеет место в зоне проводимости, нельзя. [31]
Отрицательный температурный коэффициент сопротивления таких полупроводников наблюдается в областях температур, когда не все примеси ионизированы или имеет место собственная электропроводность. И в том, и в другом случае зависимость удельного сопротивления полупроводника определяется в основном изменением концентрации носителей заряда, так как относительно слабым изменением их подвижности в данном случае можно пренебречь. [32]
 |
Зонная диаграмма полупроводника, у которого может наблюдаться сверхпроводимость.| Зависимость критической температуры сверхпроводимости от концентрации носителей заряда для GeTe и SnTe. [33] |
Все эти материалы проявляют сверхпроводящие свойства в области температур порядка 0 1 К, и их критическая температура оказывается чувствительной к изменению концентрации носителей заряда. [34]
Управление током возможно с помощью: / ыг-перехода; конденсатора, образованного структурой металл - диэлектрик - полупроводник; перехода металл - полупроводник, названного барьером Шотки. У полевых транзисторов с - - переходом и барьером Шотки изменение выходного тока происходит из-за изменения эффективной толщины канала ( содержащей подвижные носители заряда), а у МДП-транзисторов - за счет изменения концентрации носителей заряда. [35]
Управление током возможно с помощью: р-и-перехода; конденсатора, образованного структурой металл - диэлектрик - полупроводник; перехода металл - полупроводник, названного барьером Шатки. У полевых транзисторов с - - переходом и барьером Шотки изменение выходного тока происходит из-за изменения эффективной толщины канала ( содержащей подвижные носители заряда), а у МДП-транзисторов - за счет изменения концентрации носителей заряда. [36]
Выражения (1.24) и (1.25) показывают, что скорость изменения концентрации носителей заряда зависит одновременно от трех факторов. Первый фактор характеризуется повышением концентрации носителей со скоростью g благодаря какому-либо внешнему воздействию ( например, освещению); второй - скоростью рекомбинации избыточных носителей заряда, в результате чего их концентрация убывает; третий - скоростью изменения концентрации носителей заряда вследствие того, что число носителей заряда, втекающих в бесконечно малый объем, не равно числу вытекающих носителей заряда. [37]
С достаточной степенью точности можно считать, что при приложении внешнего напряжения смещения V в прямом направлении потенциальный барьер на переходе снижается, как показано на рис. 2.3, до значения Vd - V, что сопровождается изменением концентрации носителей заряда на границах х и хр обедненного слоя. [39]
Как мы видели выше, концентрация носителей заряда в полупроводнике представляет собой обычно чувствительную функцию температуры и чистоты материала, что резко отличает полупроводник от металла. Именно это обстоятельство заставляет исследователей сосредоточить внимание на подвижности и, а не на проводимости ст. Подвижность представляет собой во многих отношениях более фундаментальную характеристику, чем проводимость, величина которой может изменяться на много порядков от образца к образцу вместе с изменением концентрации носителей заряда. [40]
Собственная и примесная генерации не нарушают условия электронейтральности в полупроводнике. Однако в неравновесном случае возможны процессы создания избыточной неравновесной концентрации носителей заряда, нарушающие условия электронейтральности. Это - процессы изменения концентрации носителей заряда при прохождении электрического тока в неоднородном полупроводнике или при прохождении электрического тока через так называемые неомические ( нелинейные) контакты металл-полупроводник. Здесь рассмотрим упрощенно пример прохождения электрического тока через р-п переход. [41]
Тензорезистивный эффект состоит в изменении сопротивления ( проводимости) полупроводника или металла в результате его деформации. Физической причиной тензосопротивления является изменение энергетической структуры полупроводника. Изменение ширины запрещенной зоны приводит к изменению концентрации носителей заряда и тем самым к изменению сопротивления. [42]
Тензорезистивный эффект состоит в изменении сопротивления ( проводимости) полупроводника или металла в результате его деформации. Физической причиной тензосопротивления является изменение энергетической структуры полупроводника. Изменение ширины запрещенной зоны приводит к изменению концентрации носителей заряда и тем самым к изменению сопротивления. [43]
Электропроводность твердых кристаллических тел изменяется при деформации вследствие увеличения или уменьшения ( растяжение, сжатие) межатомных расстояний, приводящих к изменению концентрации и подвижности носителей. Концентрация носителей заряда может стать меньше или больше вследствие изменения ширины энергетических зон кристалла и смещения примесных уровней, что в свою очередь изменяет энергию активации носителей и изменяет их эффективные массы, входящие в выражения концентрации носителей заряда. Для металлов основным является изменение подвижности, а для полупроводников изменение концентрации носителей заряда, определяемое энергией активации. Ширина запрещенной зоны может как увеличиваться, так и уменьшаться при сближении атомов, и у разных полупроводников одна и та же деформация может вызывать как увеличение, так и уменьшение удельной проводимости. [44]
За счет энергии света может происходить изменение потенциальной и кинетической энергии любых входящих в состав данного тела частиц. Естественно, что по закону сохранения энергии при этом происходит поглощение квантов падающего на данное тело света. Если таким телом является полупроводник, то поглощение света может быть связано с изменением концентрации носителей заряда, а следовательно, с изменением удельной проводимости освещаемого тела. При этом различают несколько видов поглощения. Рассмотрим наиболее важные из них. [45]
Страницы: 1 2 3 4