Изменение - концентрация - носитель - ток
Cтраница 1
 |
Изменение подвижности и. и концентрации носителей тока п в зависимости от температуры iK при одновременной конденсации РЬТе на NaCl ( кривые 2 и 4 и КС1 ( кривые 1. [1] |
Изменение концентрации носителей тока в пленке обусловлено нарушением стехиометрического соотношения компонентов. [2]
Изменение концентрации носителей тока в зоне проводимости и в валентной зоне меняет заполнение локальных уровней, а следовательно, и примесную проводимость, источником которой они являются. Соответствующие экспериментальные данные приведены на фиг. [3]
 |
Температурная зависимость концентрации дефектов при Т. Tf, где Т ( - температура, при которой замораживается равновесие кристалл - пар ( Д const. [4] |
Изменение концентраций носителей тока получается из упрощенного решения. Рассмотрим систему из окиси бария с избытком бария. [5]
Изменение концентрации носителей тока в приповерхностном слое полупроводника должно приводить к изменению его электропроводности. [6]
Учитывая изменение концентрации носителей тока в зависимости от температуры обработки, представляется возможным объяснить температурные зависимости термосилы и электропроводности переходных форм углерода. При этом в осно -, ву обсуждения могут быть положены два принципа: уменьши ние-ширины запрещенной зоны с повышением температуры j обработки углеродистого материала и возможность образования частично заполненной валентной пи-зоны. [7]
Благодаря увеличению масштаба, изменения концентрации носителей тока, сопровождающие введение золота, видны более ясно, чем на предыдущих рисунках. [8]
Экспериментальные исследования Хвэнга [ 51 по кинетике изменения концентрации носителей тока при отжиге GaAs: Те при различных температурах показали также, что определяющую роль в этом эффекте играет образование коплексов Тед3 Vca. Последние обусловливают появление полосы 1 22 эВ в спектре фотолюминесценции и, таким образом, существенно ухудшают свойства лазеров и ИК-диодов, изготовленных на основе этого материала. [9]
Это изменение электропроводимости халькогенидных стекол обусловлено главным образом изменением концентрации носителей тока. Халькогенидные стекла, как правило, бывают от желтого до темно-коричневого цвета, однако они отличаются прозрачностью в инфракрасной области спектра ( максимальное пропускание 60 - 80 %) и имеют очень простую структуру спектров поглощения. Ряд стекол пригоден для получения хороших светофильтров с краем полосы пропускания от 0 6 до 2 - 3 мк. На рис. 11.20 показан характер оптического поглощения некоторых халькогенидных стекол. [10]
Это изменение электропроводимости халькогенидных стекол обусловлено главным образом изменением концентрации носителей тока. Халькогенидные стекла, как правило, бывают от желтого до темно-коричневого цвета, однако они отличаются прозрачностью в инфракрасной области спектра ( максимальное пропускание 60 - 80 %) и имеют очень простую структуру спектров поглощения. Оптическое поглощение у большинства халькогенидных стекол определяется характером поглощения As2S3 и AsaSeg. Ряд стекол пригоден для получения хороших светофильтров с краем полосы пропускания от 0 6 до 2 - 3 мк. [11]
Температурная зависимость сопротивления датчика определяется наложением двух явлений - изменением концентрации носителей тока и изменением их подвижности. Относительная роль этих явлений может быть в том или ином конкретном случае весьма различной, и поэтому наблюдаемые на практике значения температурных коэффициентов сопротивления датчиков эдс Холла варьируют как по знаку, так и по величине. [12]
Для полупроводников основную роль играет фактор изменения энергии активации, вызывающий изменение концентрации носителей тока. Поэтому у различных полупроводников одна и та же деформация может вызвать как увеличение, так и уменьшение электропроводности. [13]
 |
Зависимость ZT от уровня химического потенциала и термоЭДС при различных значениях pz. [14] |
При этом изменяются и значения pz, г, однако если изменения концентрации носителей тока не очень велики, Р2 и г могут быть приняты постоянными. [15]
Страницы: 1 2 3