Изменение - концентрация - носитель - ток
Cтраница 3
Положительный или отрицательный знак ос свидетельствует об электронном или дырочном механизме тока. Действительно, с повышением температуры в полупроводниках возрастают концентрация и скорость носителей тока, которые поэтому диффундируют от горячего конца к холодному, оставляя в горячем недостаток, а в холодном создавая избыток зарядов и электрическое поле, противодействующее диффузии. Равновесие достигается, когда поток диффузии уравновешивается переносом зарядов электрическим полем. Если носители тока - электроны, горячий конец получает более высокий положительный потенциал, чем холодный, при дырочной проводимости, наоборот, горячий конец заряжен отрицательно. Одновременно с изменением концентрации носителей тока изменяется и контактный потенциал полупроводника. [31]
 |
Влияние добавок Li, Mg, Fe на работу выхода из NiO. [32] |
Благодаря применявшемуся методу сравнения работы выхода по отношению к одному и тому же вибрирующему золотому электроду [10], изменения контактной разности потенциалов при введении в чистую закись никеля добавок были надежно измерены. В этом случае связь поверхностных электронных свойств с объемными сложнее, чем это обычно принимается в пока весьма несовершенных попытках построения электронной теории хемосорбции и катализа на полупроводниках. Сходные результаты получены для действия тех же и других добавок на ср окиси цинка. В этом случае рентгенографически не удается обнаружить твердых растворов LiaO. Совокупность данных по влиянию добавок инозарядных окислов к окислам двухвалентных металлов позволяет сделать вывод, что действие добавок на поверхностные электронные свойства полупроводниковых окислов нельзя сводить к одному лишь изменению концентрации носителей тока в объеме кристаллов, соответствующему изменению электрохимического потенциала поверхности. [33]
Концентрация носителей не может расти за счет ионизации каких-либо примесных уровней, поскольку при концентрациях порядка 1021 - 1022 см-3 энергии ионизации обычно равны нулю. Зона проводимости состоит из двух перекрывающихся зон: 5-зоны и d - зоны. Если уровень Ферми находится в области, где плотность состояний d - зоны падает с ростом энергии, то с повышением температуры происходит перераспределение электронов между зонами таким образом, что число их в 5-зоне растет. Когда уровень Ферми находится в области роста плотности состояний d - зоны, то наблюдается обратная картина. В [5] показано, что кривая зависимости плотности состояний от энергии в гибридной 2р Sflf-зоне TiC действительно имеет минимум, причем уровень Ферми стехиометрического TiC находится на участке падения плотности состояний. С ростом энергии плотность состояний сначала падает, а потом начинает расти. В соответствии с этим и наблюдается изменение концентрации носителей тока. [34]
Страницы: 1 2 3