Изменение - концентрация - носитель - ток
Cтраница 2
Различие температурной зависимости электропроводности полупроводника и металла чаще всего обусловлено разницей в изменении концентрации носителей тока с температурой. В металле концентрация носителей тока практически равна количеству атомов ( 1022 - 1023 в 1 см3) и не зависит от температуры, а очень слабый рост сопротивления при нагревании связан с некоторым уменьшением подвижности носителей, составляющей обычно 10 - 100 см2 / в-сек. В большинстве же полупроводников, как мы видели, повышение температуры вызывает увеличение концентрации носителей тока, которое тем резче, чем меньше ширина запрещенного участка. [16]
 |
Схема электронных переходов, сопровождающих хемосорбцию. [17] |
Следовательно, упрочнение связи хемосорбирован-ного радикала с решеткой кристалла должно приводить к заряжению поверхности и к изменению концентрации носителей тока вблизи поверхности. [18]
Так как всестороннее сжатие в общем случае входит как составная часть в любую деформацию, кроме чистого сдвига, то изменение концентрации носителей тока, обусловленное всесторонним сжатием, должно наблюдаться во всех случаях. В области примесной проводимости, однако, всестороннее сжатие может изменять общую концентрацию лишь на величину 2бге, что практически не может сказываться на общей величине электропроводности. [19]
Опыты по измерению эффекта Холла у полупроводников показали, что сильное влияние температуры, света и примесей на их электропроводность связано в основном с изменением концентрации носителей тока, хотя следует отметить, что при изменении температуры и при введении примесей происходит заметное, но гораздо более слабо выраженное изменение и величины подвижности. [20]
Теория Волькенштейна предусматривает также влияние изменений электропроводности полупроводников на скорость реакции ( каталитическую активность), как и я а адсорбционную способность. Такое влияние обусловлено изменениями концентрации носителей тока ( электронов и дырок), ведущими к изменению электропроводности. Влияние изменений электропроводности на скорость реакции должно быть различным в зависимости от типа полупроводника, направления электронных переходов и механизма реакции. [21]
 |
Эффект поля. [22] |
На рис. 9.8 6 изображен изгиб зон в полупроводнике р-типа при той полярности внешней разности потенциалов V, которая показана на рис. 9.8 а. Изгиб зон приводит к изменению концентрации носителей тока в приповерхностном слое и, как следствие этого, к изменению его электропроводности. Явление изменения проводимости полупроводника под действием поперечного электрического поля называется эффектом поля. [23]
Действительно, поскольку обычно неравновесные процессы проявляются в изменении концентрации носителей тока, в качестве их характеристики разумно использовать величину До, пропорциональную концентрации неравновесных носителей. Величина же Дг, как это следует из (8.3), сложно связана с До, а следовательно, и с концентрацией неравновесных носителей. [24]
 |
Спектральные характеристики внутреннего фотоэффекта стекол системы.| Спектральное распределение внутреннего фотоэффекта стекла состава 4As2Ses As2Teg в твердом ( 1 и жидком ( 2 состояниях. [25] |
Эти измерения показали также, что подвижность носителей в данной системе при изменении состава остается неизменной. Отсюда следует, что наблюдаемое в ней изменение проводимости с составом обусловлено только изменением концентрации носителей тока. [26]
Если между металлическим электродом и полупроводником приложить напряжение, то заряд на металле будет действовать аналогично заряду на поверхности полупроводника и вызывать искривление зон. Если на электроде расположены отрицательные заряды, то искривление зон будет происходить вверх, если положительные, то вниз. Изгиб означает изменение концентрации носителей тока в приповерхностном слое. [28]
В отличие от проводников ( металлов), характеризующихся постоянной концентрацией свободных ( участвующих в создании тока) электронов, число носителей тока в единице объема полупроводника зависит от ряда факторов. При этом сопротивление полупроводника соответственно увеличивается или уменьшается. Однако эффект изменения сопротивления за счет изменений концентрации носителей тока не находит в настоящее время применения в технике релейной защиты и автоматики и поэтому здесь не рассматривается. [29]
Коэффициент разделения определяется как отношение концентраций золота в твердой и жидкой фазе при равновесии. Концентрация золота в твердом кристалле составляла 8 1013 см-3 в предположении, что каждый атом вносит два акцепторных состояния. Результат ( 1 5 10 - 5) совпадает с полученным по изменению концентрации носителей тока в германии р-типа в предположении, что в этом случае атом золота вносит один акцепторный уровень. Хотя степень совпадения почти наверняка случайна, это совпадение придает еще больший вес гипотезе об образовании каждым атомом золота двух акцепторных состояний в германии. [30]
Страницы: 1 2 3