Cтраница 1
Изменение концентрации примеси, захватываемой кристаллом, в зависимости от доли отвердевшего расплава g для различных значений коэффициента распределения показано на фиг. Однако доля g даже в принципе не может быть равна единице при &1, так как концентрация примеси в расплаве не может быть больше определенного значения, соответствующего фазе чистой примеси. Область концентраций, внутри которой может происходить простая кристаллизация, ограничивается в практических условиях возникновением эвтектик или перитектик. [1]
Рассчитать изменение концентрации примеси фосфора за время от момента расплавления загрузки исходного кремния до разращивания монокристалла до номинального диаметра, равное 60 мин. [2]
![]() |
Графики изменения концентрации примеси по сечению струи при. [3] |
Зависимости изменения концентрации примеси по оси струи и по сечению ее ( рис. 5.9, 5.10) аналогичны зависимостям изменения скорости. [4]
![]() |
Распределение примесей в базе. [5] |
Закон изменения концентрации примеси в полупроводнике зависит от условий проведения процесса. [6]
Зависимость изменения концентрации примеси, уловленной в фильтрующем слое, от времени представляет собой разность скоростей прилипания и срыва частиц примеси: dq / drvayas - срыва. [7]
С изменением концентрации примеси меняется отношение интенсивности выбранных линий. [8]
При изменениях концентрации примеси, внедренной в решетку кристалла, изменяется и параметр решетки этой области ввиду различия атомных радиусов примеси и растворителя. Чем больше различие атомных радиусов, тем меньшая концентрация примесей вызывает изменения параметров решетки. Возникшие вследствие этого внутренние напряжения могут иметь величину, достаточную для образования дислокаций. [9]
Если область изменения концентрации примесей составляет величину порядка 1 мкм, то для расчетов необходимо пользоваться формула. [10]
Установленные закономерности изменения концентрации примеси в первой и второй порциях раствора могут быть распространены и на последующие порции. [11]
От характера изменения концентрации примесей на границе раздела изменяется и степень зависимости емкости перехода от приложенного напряжения. [12]
Третий способ изменения концентрации Сг примеси на границах зерен также применим в случае 7 п Т и позволяет изучать кинетику зерно-граничной сегрегации. После быстрого охлаждения образца от температуры стабилизирующего высокого отпуска или отжига, при которой концентрация примеси на границах зерен сравнительно мала, измеряют высоту зернограничного примесного пика в зависимости от длительности г изотермической выдержки при более низкой температуре интенсивного развития хрупкости, когда концентрация примеси на границах постепенно нарастает. [13]
Опыты показали, что изменение концентрации примесей ( Спр) в пределах 1.10 - 3 - 1.10 - 6 г-ион / л не влияет на коэффициент их распределения. [15]